多数载流子英文解释翻译、多数载流子的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 majority carriers

分词翻译：

多数的英语翻译：

majority; many; multiplicity; multitude
【医】 multi-; pluri-; poly-

载流子的英语翻译：

【化】 current carrier

专业解析

多数载流子 (Duōshù Zàiliúzǐ / Majority Carrier)

在半导体物理学中，多数载流子指在特定类型的半导体材料中占主导地位的电荷载流子（电子或空穴）。其浓度显著高于另一种载流子，决定了材料的导电类型和主要电学特性。

核心概念解析

定义与形成机制
- N型半导体：通过掺杂五价元素（如磷、砷）引入多余电子，电子成为多数载流子，空穴为少数载流子。
- P型半导体：掺杂三价元素（如硼、铟）产生多余空穴，空穴作为多数载流子，电子为少数载流子。
  多数载流子的浓度主要由掺杂浓度决定，远高于本征载流子浓度（室温硅中约 (10^{10} text{cm}^{-3})），典型掺杂浓度范围为 (10^{15}-10^{18} text{cm}^{-3})。
物理意义与影响
- 主导半导体的导电性：电流主要由多数载流子输运。
- 影响器件特性：如二极管正向导通、MOSFET沟道形成均依赖多数载流子的运动。
- 浓度差异：多数载流子浓度可高于少数载流子 (10) 倍以上，例如N型硅中电子浓度 (n_n approx N_D)（施主浓度），空穴浓度 (p_n = n_i / n_n)。

权威定义参考

半导体经典教材
施敏（S. M. Sze）在《半导体器件物理》中明确区分多数/少数载流子，强调掺杂对载流子分布的调控作用（来源：S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley）。

国家标准术语
GB/T 2900.66-2004《电工术语半导体器件和集成电路》将“多数载流子”定义为“在半导体中浓度较高的载流子”（来源：中国国家标准）。

英文对应术语

Majority Carrier：国际通用术语，与“多数载流子”完全对应。
反义词：少数载流子（Minority Carrier）。

应用实例

N型硅：磷掺杂后，电子为多数载流子，导电率随磷原子数量增加而上升。
P型砷化镓：锌掺杂形成空穴主导导电，用于红光LED的P区材料。

注：本文定义综合经典教材、国家标准及行业共识，符合半导体物理学的规范表述。

网络扩展解释

多数载流子是半导体物理中的重要概念，指在特定类型半导体中占主导地位并主导导电的带电粒子。以下是详细解释：

1.定义与基本概念

多数载流子（简称“多子”）是指在半导体材料中浓度较高、对导电起主要作用的载流子。例如：

N型半导体：通过掺入磷等五价元素，自由电子成为多数载流子，空穴为少数载流子。
P型半导体：通过掺入硼等三价元素，空穴成为多数载流子，电子为少数载流子。

2.载流子的类型

电子：带负电的粒子，在N型半导体中占主导。
空穴：带正电的“空缺位”，在P型半导体中占主导。

3.形成原因

多数载流子的浓度由掺杂决定：

掺杂五价元素（如磷）：为N型半导体提供多余电子，显著增加自由电子浓度。
掺杂三价元素（如硼）：为P型半导体产生空穴，使空穴浓度远高于电子。

4.与少数载流子的区别

浓度差异：多子浓度由掺杂浓度决定，少子浓度则与温度密切相关。
导电作用：多子主导半导体的导电性，少子对器件特性（如二极管反向电流）有重要影响。

5.应用意义

多数载流子的特性直接影响半导体器件的性能，例如：

二极管：利用PN结中多子的扩散形成单向导电性。
晶体管：通过控制多子浓度实现信号放大。

如需进一步了解载流子的微观行为或具体器件原理，可参考半导体物理相关教材或权威资料。