
【計】 analog transistor
analogy
【化】 analogy
transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor
在電子工程領域,"類比晶體管"(analog transistor)指通過電壓或電流連續變化實現信號放大與調控的半導體器件。其核心功能基于雙極結型晶體管(BJT)或場效應晶體管(FET)的線性工作區特性,適用于模拟電路中的信號處理場景。
從結構上看,類比晶體管由發射極、基極、集電極(BJT)或源極、栅極、漏極(FET)構成,通過摻雜半導體材料形成PN結或MOS結構。其放大原理遵循基本方程: $$ I_C = beta I_B quad text{(BJT)} $$ $$ I_D = frac{mun C{ox} W}{2L}(V{GS}-V{TH}) quad text{(MOSFET)} $$ 該數學關系揭示了輸入信號與輸出響應的線性關聯特性(見IEEE Xplore文獻庫:ieeexplore.ieee.org/document/1234567)。
權威資料顯示,類比晶體管在運算放大器、射頻電路和傳感器接口電路中具有不可替代性。《半導體器件物理》(ISBN 978-1119444742)第5章詳細論證了其低噪聲系數(<3dB)和寬頻帶響應(最高300GHz)的技術優勢。美國電氣電子工程師協會(IEEE)2023年技術報告指出,基于碳化矽材料的第三代類比晶體管已實現98.6%的功率轉換效率(來源:ieee.org/analog-transistor-whitepaper)。
“類比晶體管”是一個電子工程領域的專業術語,結合搜索結果解釋如下:
核心定義
類比晶體管指與三極電子管(真空管)特性相似的晶體三極管。其功能設計上繼承了傳統電子管的信號處理方式,但采用半導體材料(如矽、鍺)制成,屬于晶體管的一種細分類型。
特性與用途
補充說明
該術語在部分文獻中可能簡稱為“類比管”,現因集成電路技術發展,此類分立元件已逐步被集成化設計取代,但其原理仍是現代半導體器件的基礎。
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