面結型栅場效應晶體管英文解釋翻譯、面結型栅場效應晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 junction gate field effect transistor

分詞翻譯：

面的英語翻譯：

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【醫】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

結型栅的英語翻譯：

【計】 junction gate

場效應晶體管的英語翻譯：

【計】 FET; field effect transistor

專業解析

面結型栅場效應晶體管（Junction Gate Field-Effect Transistor，JFET）是一種基于半導體材料構建的單極性電壓控制型器件。其核心結構由摻雜形成的PN結栅極、導電溝道以及源漏電極構成。術語中的"面結型"指代其栅極通過冶金結面（即PN結界面）實現對溝道的電場調控，這與金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的絕緣栅結構形成本質區别。

從漢英詞典角度解析：

面結型（Junction Type）：對應英文"junction"，指半導體中P型與N型材料形成的耗盡層界面。該結構通過反向偏置電壓調節耗盡區寬度，從而控制溝道電導率（《半導體器件物理基礎》，清華大學出版社）。
栅（Gate）：作為控制電極，其英文"gate"源于閥門控制流量的物理概念，在JFET中通過栅壓改變溝道截面積來實現電流調控（IEEE Electron Device Letters）。
場效應（Field Effect）：描述電場垂直作用于載流子輸運路徑的作用機制，區别于雙極型晶體管的電流控制模式（《電子工程手冊》第5版）。

JFET主要分為N溝道和P溝道兩種類型，典型應用包括：

高輸入阻抗放大器前端電路
低噪聲射頻接收模塊
模拟開關及恒流源設計（Texas Instruments技術文檔AN-103）

該器件工作特性遵循平方律方程： $$ ID = I{DSS} left(1 - frac{V_{GS}}{VP}right) $$ 其中$I{DSS}$為飽和漏電流，$V_P$為夾斷電壓，該公式揭示了栅源電壓對漏極電流的非線性控制關系（《微電子電路》第7章）。

網絡擴展解釋

場效應晶體管（FET）中的"面結型栅場效應晶體管"通常指結型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET），其核心特點是栅極與半導體溝道之間通過PN結實現電場控制。以下是詳細解析：

一、結構特性

雙極結構
由N型或P型半導體材料構成溝道（分别稱為N溝道和P溝道），栅極通過摻雜形成PN結。例如，N溝道JFET的栅極是P型半導體，與N型溝道直接接觸形成PN結。
平面型設計
"面結型"描述的是栅極與溝道的接觸方式，即栅極通過平面PN結橫向覆蓋在溝道表面，通過反向偏置電壓控制溝道寬度。

二、工作原理

電壓控制
栅極施加反向偏壓時，PN結耗盡層擴展，擠壓導電溝道的截面積，從而調節漏極電流。當耗盡層完全夾斷溝道時，器件進入截止狀态。
單極導電性
僅依賴多數載流子（如N溝道的電子）導電，因此噪聲低、熱穩定性好。

三、性能特點

優點
- 輸入阻抗高（約10⁸~10⁹Ω），驅動功率小；
- 無二次擊穿風險，適合高頻應用。
局限
- 電流容量和耐壓能力較低，多用于小信號放大。

四、與其他FET的對比

與MOSFET區别
MOSFET的栅極與溝道通過絕緣層（如二氧化矽）隔離，而JFET依賴PN結控制，結構更簡單但功耗較高。

擴展閱讀

若需進一步了解結型場效應管的具體參數或電路應用，可參考電子工程教材或專業器件手冊（如、3提到的結型與絕緣栅型差異）。