面结型栅场效应晶体管英文解释翻译、面结型栅场效应晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 junction gate field effect transistor

分词翻译：

面的英语翻译：

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【医】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

结型栅的英语翻译：

【计】 junction gate

场效应晶体管的英语翻译：

【计】 FET; field effect transistor

专业解析

面结型栅场效应晶体管（Junction Gate Field-Effect Transistor，JFET）是一种基于半导体材料构建的单极性电压控制型器件。其核心结构由掺杂形成的PN结栅极、导电沟道以及源漏电极构成。术语中的"面结型"指代其栅极通过冶金结面（即PN结界面）实现对沟道的电场调控，这与金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的绝缘栅结构形成本质区别。

从汉英词典角度解析：

面结型（Junction Type）：对应英文"junction"，指半导体中P型与N型材料形成的耗尽层界面。该结构通过反向偏置电压调节耗尽区宽度，从而控制沟道电导率（《半导体器件物理基础》，清华大学出版社）。
栅（Gate）：作为控制电极，其英文"gate"源于阀门控制流量的物理概念，在JFET中通过栅压改变沟道截面积来实现电流调控（IEEE Electron Device Letters）。
场效应（Field Effect）：描述电场垂直作用于载流子输运路径的作用机制，区别于双极型晶体管的电流控制模式（《电子工程手册》第5版）。

JFET主要分为N沟道和P沟道两种类型，典型应用包括：

高输入阻抗放大器前端电路
低噪声射频接收模块
模拟开关及恒流源设计（Texas Instruments技术文档AN-103）

该器件工作特性遵循平方律方程： $$ ID = I{DSS} left(1 - frac{V_{GS}}{VP}right) $$ 其中$I{DSS}$为饱和漏电流，$V_P$为夹断电压，该公式揭示了栅源电压对漏极电流的非线性控制关系（《微电子电路》第7章）。

网络扩展解释

场效应晶体管（FET）中的"面结型栅场效应晶体管"通常指结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor, JFET），其核心特点是栅极与半导体沟道之间通过PN结实现电场控制。以下是详细解析：

一、结构特性

双极结构
由N型或P型半导体材料构成沟道（分别称为N沟道和P沟道），栅极通过掺杂形成PN结。例如，N沟道JFET的栅极是P型半导体，与N型沟道直接接触形成PN结。
平面型设计
"面结型"描述的是栅极与沟道的接触方式，即栅极通过平面PN结横向覆盖在沟道表面，通过反向偏置电压控制沟道宽度。

二、工作原理

电压控制
栅极施加反向偏压时，PN结耗尽层扩展，挤压导电沟道的截面积，从而调节漏极电流。当耗尽层完全夹断沟道时，器件进入截止状态。
单极导电性
仅依赖多数载流子（如N沟道的电子）导电，因此噪声低、热稳定性好。

三、性能特点

优点
- 输入阻抗高（约10⁸~10⁹Ω），驱动功率小；
- 无二次击穿风险，适合高频应用。
局限
- 电流容量和耐压能力较低，多用于小信号放大。

四、与其他FET的对比

与MOSFET区别
MOSFET的栅极与沟道通过绝缘层（如二氧化硅）隔离，而JFET依赖PN结控制，结构更简单但功耗较高。

扩展阅读

若需进一步了解结型场效应管的具体参数或电路应用，可参考电子工程教材或专业器件手册（如、3提到的结型与绝缘栅型差异）。