磷化砷英文解釋翻譯、磷化砷的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 arsenic phosphide

【化】 phosphorization

arsenic
【醫】 arsen-; arsenic; arsenicum; arsenium; arseno-; arsenum; As.

磷化砷（英文：Arsenic Phosphide）是砷（As）與磷（P）形成的化合物，通常指化學式為PAs 的二元化合物。在半導體材料科學領域，它更常被稱為磷化砷或砷化磷（Arsenic Phosphide），屬于III-V族化合物半導體。其核心含義如下：

化學本質
磷化砷是由磷元素和砷元素通過化學鍵結合形成的無機化合物。其晶體結構通常為閃鋅礦結構（立方晶系），類似于砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等III-V族半導體。
半導體特性
作為III-V族直接帶隙半導體，磷化砷（PAs）具有可調節的光電性質。其帶隙能量介于砷化镓（GaAs）和磷化镓（GaP）之間，理論上適用于特定波段的光電器件（如紅外探測器或激光器）。材料特性受制備工藝（如分子束外延MBE）和摻雜影響顯著。
應用領域
主要應用于高性能半導體器件領域：
- 光電子器件：潛在應用于近紅外光發射與探測器件。
- 高頻電子器件：高電子遷移率使其適用于毫米波通信器件（需界面工程優化）。
- 量子結構材料：可與砷化铟（InAs）等形成異質結，用于量子阱、超晶格結構研究。
研究現狀
因磷（P）與砷（As）的蒸汽壓差異大，體單晶生長難度高，當前以薄膜外延技術（如MOCVD、MBE）制備為主。研究聚焦于界面缺陷控制、能帶工程及熱穩定性提升。

注：因該化合物在工業應用中較砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）更少見，其漢英對照名稱在專業文獻中統一為Arsenic Phosphide (PAs)，需注意與“砷磷化物”（如GaAsP合金）區分。

磷化砷（化學名稱：arsenic phosphide）是一種由磷（P）和砷（As）組成的無機化合物。以下是詳細解釋：

基本定義
磷化砷是磷與砷通過化學鍵結合形成的化合物，屬于磷化物和砷化物類别。其英文名稱“arsenic phosphide”表明該化合物中砷為陽離子，磷為陰離子（按電負性較高的元素在後命名規則）。
化學組成與結構
具體化學式可能因原子比例不同而有所變化（如AsP、AsP₃等）。這類化合物通常具有半導體性質，但需注意：不同結構的磷化砷可能在物理化學性質上有差異。
潛在應用領域
磷化物和砷化物類化合物常用于半導體材料、光電材料等領域。例如，砷化镓（GaAs）是重要半導體材料，而磷化砷可能具有類似應用，但需更多實驗數據支持。
補充說明
目前公開資料中對磷化砷的具體性質、合成方法和實際應用描述較少，建議通過專業化學數據庫（如SciFinder或Reaxys）獲取更詳細的物化參數和研究成果。

注：以上信息綜合了基礎化學命名規則和參考來源中的翻譯對照。如需實驗級數據或具體合成路徑，需進一步查閱文獻。