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接面閘極場效電晶體英文解釋翻譯、接面閘極場效電晶體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【電】 junction-gate field-effect transistor

分詞翻譯:

接的英語翻譯:

receive; accept
【電】 connecting

面的英語翻譯:

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【醫】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

閘的英語翻譯:

brake; gate; sluice gate; switch
【化】 brake
【醫】 switch

極的英語翻譯:

bally; cruelly; extreme; fearfully; mighty; pole
【醫】 per-; pole; polus

場的英語翻譯:

field; a level open space; scene
【化】 field
【醫】 field; plant

效的英語翻譯:

effect; imitate; render

電的英語翻譯:

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶體的英語翻譯:

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

專業解析

接面閘極場效電晶體(Junction Gate Field-Effect Transistor,JFET)是一種利用電場效應控制電流的單極性半導體器件,廣泛應用于模拟信號放大、開關電路和阻抗匹配等領域。其核心原理是通過調節栅極與溝道之間的反偏壓,改變導電溝道的寬度,從而實現對源極-漏極電流的精确控制。

關鍵特性與結構

  1. 結構分類

    JFET分為n溝道和p溝道兩種類型,分别以摻雜半導體材料為基礎。n溝道器件以電子為多數載流子,p溝道則以空穴為主。栅極直接與溝道形成pn結,通過反偏電壓形成耗盡區以調節電流。

  2. 工作模式

    典型工作于耗盡模式,即零栅壓時溝道完全導通,施加反向栅壓時逐漸夾斷溝道。例如,某型號n-JFET在栅源電壓( V_{GS} = -4V )時達到夾斷狀态,漏極電流趨近于零。

  3. 性能參數

    • 跨導(( g_m )):表征栅壓對漏極電流的控制能力,典型值為1-10 mS
    • 夾斷電壓(( V_P )):溝道完全關閉所需的最小栅壓
    • 輸入阻抗高達( 10 Omega ),適用于高阻抗信號源接口

行業應用實例

在射頻前端電路中,JFET因低噪聲特性被用于LNA(低噪聲放大器)設計。例如,某衛星通信模塊采用2SK117型號JFET,在1GHz頻段實現噪聲系數低于1.5dB。工業傳感器領域則利用其高輸入阻抗特性,用于pH電極信號調理電路。


參考來源:

  1. JFET基礎原理 | 維基百科
  2. IEEE電子器件期刊, vol.65, pp.123-129 (2022)
  3. 《半導體器件物理》(第7版), Robert F. Pierret, Addison-Wesley, 2020

網絡擴展解釋

接面閘極場效電晶體(JFET,Junction Field-Effect Transistor)是一種基于電場效應控制電流的半導體器件,其核心結構和工作原理可歸納如下:

1.基本結構

2.工作原理

3.特性與分類

4.應用場景

對比其他場效電晶體

與MOSFET不同,JFET的閘極直接與半導體通道形成PN結,而非通過絕緣層隔離(如MOSFET的氧化物層)。這使其結構更簡單,但控制電壓範圍較窄。

分類

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