
【电】 junction-gate field-effect transistor
receive; accept
【电】 connecting
face; surface; cover; directly; range; scale; side
【医】 face; facies; facio-; prosopo-; surface
brake; gate; sluice gate; switch
【化】 brake
【医】 switch
bally; cruelly; extreme; fearfully; mighty; pole
【医】 per-; pole; polus
field; a level open space; scene
【化】 field
【医】 field; plant
effect; imitate; render
electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-
crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal
接面闸极场效电晶体(Junction Gate Field-Effect Transistor,JFET)是一种利用电场效应控制电流的单极性半导体器件,广泛应用于模拟信号放大、开关电路和阻抗匹配等领域。其核心原理是通过调节栅极与沟道之间的反偏压,改变导电沟道的宽度,从而实现对源极-漏极电流的精确控制。
结构分类
JFET分为n沟道和p沟道两种类型,分别以掺杂半导体材料为基础。n沟道器件以电子为多数载流子,p沟道则以空穴为主。栅极直接与沟道形成pn结,通过反偏电压形成耗尽区以调节电流。
工作模式
典型工作于耗尽模式,即零栅压时沟道完全导通,施加反向栅压时逐渐夹断沟道。例如,某型号n-JFET在栅源电压( V_{GS} = -4V )时达到夹断状态,漏极电流趋近于零。
性能参数
在射频前端电路中,JFET因低噪声特性被用于LNA(低噪声放大器)设计。例如,某卫星通信模块采用2SK117型号JFET,在1GHz频段实现噪声系数低于1.5dB。工业传感器领域则利用其高输入阻抗特性,用于pH电极信号调理电路。
参考来源:
接面闸极场效电晶体(JFET,Junction Field-Effect Transistor)是一种基于电场效应控制电流的半导体器件,其核心结构和工作原理可归纳如下:
与MOSFET不同,JFET的闸极直接与半导体通道形成PN结,而非通过绝缘层隔离(如MOSFET的氧化物层)。这使其结构更简单,但控制电压范围较窄。
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