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接面闸极场效电晶体英文解释翻译、接面闸极场效电晶体的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【电】 junction-gate field-effect transistor

分词翻译:

接的英语翻译:

receive; accept
【电】 connecting

面的英语翻译:

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【医】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

闸的英语翻译:

brake; gate; sluice gate; switch
【化】 brake
【医】 switch

极的英语翻译:

bally; cruelly; extreme; fearfully; mighty; pole
【医】 per-; pole; polus

场的英语翻译:

field; a level open space; scene
【化】 field
【医】 field; plant

效的英语翻译:

effect; imitate; render

电的英语翻译:

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶体的英语翻译:

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal

专业解析

接面闸极场效电晶体(Junction Gate Field-Effect Transistor,JFET)是一种利用电场效应控制电流的单极性半导体器件,广泛应用于模拟信号放大、开关电路和阻抗匹配等领域。其核心原理是通过调节栅极与沟道之间的反偏压,改变导电沟道的宽度,从而实现对源极-漏极电流的精确控制。

关键特性与结构

  1. 结构分类

    JFET分为n沟道和p沟道两种类型,分别以掺杂半导体材料为基础。n沟道器件以电子为多数载流子,p沟道则以空穴为主。栅极直接与沟道形成pn结,通过反偏电压形成耗尽区以调节电流。

  2. 工作模式

    典型工作于耗尽模式,即零栅压时沟道完全导通,施加反向栅压时逐渐夹断沟道。例如,某型号n-JFET在栅源电压( V_{GS} = -4V )时达到夹断状态,漏极电流趋近于零。

  3. 性能参数

    • 跨导(( g_m )):表征栅压对漏极电流的控制能力,典型值为1-10 mS
    • 夹断电压(( V_P )):沟道完全关闭所需的最小栅压
    • 输入阻抗高达( 10 Omega ),适用于高阻抗信号源接口

行业应用实例

在射频前端电路中,JFET因低噪声特性被用于LNA(低噪声放大器)设计。例如,某卫星通信模块采用2SK117型号JFET,在1GHz频段实现噪声系数低于1.5dB。工业传感器领域则利用其高输入阻抗特性,用于pH电极信号调理电路。


参考来源:

  1. JFET基础原理 | 维基百科
  2. IEEE电子器件期刊, vol.65, pp.123-129 (2022)
  3. 《半导体器件物理》(第7版), Robert F. Pierret, Addison-Wesley, 2020

网络扩展解释

接面闸极场效电晶体(JFET,Junction Field-Effect Transistor)是一种基于电场效应控制电流的半导体器件,其核心结构和工作原理可归纳如下:

1.基本结构

2.工作原理

3.特性与分类

4.应用场景

对比其他场效电晶体

与MOSFET不同,JFET的闸极直接与半导体通道形成PN结,而非通过绝缘层隔离(如MOSFET的氧化物层)。这使其结构更简单,但控制电压范围较窄。

分类

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