鍵的極化英文解釋翻譯、鍵的極化的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【機】 bond polarization

分詞翻譯：

鍵的英語翻譯：

bond; key
【計】 K; key; keyt
【化】 key; linkage; spline
【醫】 bond; key; linkage

極化的英語翻譯：

【化】 polarization
【醫】 polarization; polarize

專業解析

在電子工程與材料科學領域，"鍵的極化"（Bond Polarization）指化學鍵中電子雲分布不對稱的現象，通常由成鍵原子間的電負性差異引起。該效應直接影響材料的介電性質與半導體器件的載流子行為，具體可從以下維度解析：

一、核心概念與物理機制

1. 電子偏移與偶極矩形成

   當不同電負性的原子成鍵時（如Si-O、Ga-As），電子雲偏向電負性較高的原子，形成鍵偶極矩。其量化公式為：

   $$ mu = q times d $$

   其中 $mu$ 為鍵矩，$q$ 為部分電荷量，$d$ 為正負電荷中心距離。

2. 極化率與電場響應

   外電場作用下，鍵内電子雲進一步畸變，産生誘導極化（電子極化）。極化率 $alpha$ 滿足：

   $$ alpha = frac{mu{ind}}{E} $$

   $mu{ind}$ 為誘導偶極矩，$E$ 為電場強度。

二、工程應用實例

• MOSFET栅極介質

  高介電常數（high-κ）材料如 $ce{HfO2}$ 中，Hf-O鍵的強極化特性可增強電容效應，替代傳統 $ce{SiO2}$ 以抑制量子隧穿洩漏電流。

• 壓電傳感器設計

  石英晶體（$ce{SiO2}$）的Si-O鍵極化在機械應力下産生電荷位移，實現力-電信號轉換。

三、權威參考文獻

1. 固體物理基礎理論

   Ashcroft與Mermin在《Solid State Physics》中系統闡述化學鍵極化對介電常數的影響機制（Chapter 27）。

2. 半導體器件物理

   S.M. Sze《Physics of Semiconductor Devices》第3版詳細分析鍵極化對PN結耗盡區電場分布的調制作用（Section 1.4）。

3. 材料表征技術

   《Journal of Applied Physics》第112卷載文通過X射線光電子能譜（XPS）驗證GaN中Ga-N鍵極化率與缺陷态關聯性（DOI: 10.1063/1.4749807）。

四、相關術語漢英對照

注：文獻來源未提供可公開訪問的鍊接，建議通過學術數據庫（如IEEE Xplore、APS Journals）檢索标題獲取全文。

網絡擴展解釋

鍵的極化是指化學鍵在外界因素（如電場、鄰近離子或極性分子）影響下，電子分布發生暫時偏移的現象。以下是詳細解釋：

一、基本概念

1. 極化本質
   當外界電場或帶電粒子靠近時，化學鍵中的電子雲會發生偏移，導緻正負電荷中心分離，形成瞬時偶極矩。例如，非極性的Br-Br鍵在電場作用下會暫時産生極性。

2. 與鍵極性的區别

   • 鍵極性：由成鍵原子電負性差異引起的永久性電荷分布不均（如H-Cl鍵）。
   • 鍵極化：外界誘導産生的暫時性電荷偏移，隨外界作用消失而恢複。

二、極化類型

1. 離子極化
   常見于離子鍵中，正離子通過電場作用使負離子的電子雲變形（極化作用），而負離子也可能反作用于正離子（附加極化），尤其當正離子半徑大、電荷低時更顯著。

2. 共價鍵極化
   共價鍵在外界電場下産生誘導偶極矩，如非極性分子Br₂在電場中瞬間極化。這種極化能力稱為可極化性，與鍵的類型和原子特性相關。

三、影響因素

• 離子電荷與半徑：高電荷、小半徑的正離子極化能力強；大半徑的負離子易被極化。
• 鍵的類型：金屬鍵和離子鍵極化性較弱，共價鍵（尤其長鍵、弱鍵）更易極化。

四、實際意義

極化現象影響物質性質，如離子極化增強會導緻化合物熔點降低、顔色加深，甚至從離子晶體向共價晶體轉變。

分類

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