表面勢壘晶體管英文解釋翻譯、表面勢壘晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 surface barrier transistor

分詞翻譯：

表面勢壘的英語翻譯：

【計】 surface barrier

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

表面勢壘晶體管（Surface Barrier Transistor）是一種早期發展的重要晶體管類型，其核心特征在于利用金屬與半導體接觸形成的表面勢壘（肖特基勢壘）作為載流子注入或收集的結，而非傳統的PN結。以下從漢英詞典角度對其詳細解釋：

基本結構與原理 (Basic Structure and Principle)
- 中文釋義：該晶體管由半導體基片（通常是N型鍺或矽）構成，其兩側通過特殊工藝（如電化學蝕刻）形成極薄的區域。發射極和集電極并非通過合金法形成PN結，而是由金屬（如铟）直接沉積在半導體表面形成的金屬-半導體接觸（肖特基接觸）構成。發射結和集電結處的肖特基勢壘分别控制着載流子的注入與收集。
- 英文對照： Surface Barrier Transistor - A transistor type where the emitter and collector junctions are formed by metal-semiconductor contacts (Schottky barriers) deposited onto a thin semiconductor base region, typically created by electrochemical etching, rather than by conventional PN junctions.
- 來源：知識庫 (基于半導體器件物理原理)。
關鍵工藝特點 (Key Fabrication Feature)
- 中文釋義：其标志性工藝是使用電解液蝕刻半導體晶片，在兩側形成極薄（可達微米甚至亞微米量級）的基區。這種工藝使得基區寬度可以做得非常小，遠小于早期合金結晶體管。
- 英文對照： Electrochemical Etching - A defining fabrication step involving the use of an electrolyte to etch the semiconductor wafer from both sides, creating an extremely thin base region critical to the device's performance.
- 來源：知識庫 (基于半導體制造工藝史)。
性能優勢 (Performance Advantages)
- 中文釋義：由于基區極薄且金屬電極直接接觸，表面勢壘晶體管具有非常低的基極電阻和極小的基極-集電極電容。這使得它在高頻（射頻）應用中的性能顯著優于同時期的合金結晶體管，能夠工作在更高的頻率下。
- 英文對照： High-Frequency Operation - The extremely thin base and the metal-semiconductor contacts result in low base resistance and small collector capacitance, enabling superior performance at high frequencies compared to alloy-junction transistors of the era.
- 來源：知識庫 (基于電子器件特性分析)。
曆史地位與應用 (Historical Significance and Application)
- 中文釋義：表面勢壘晶體管（如Philco公司開發的型號）在1950年代是高頻晶體管技術的重要突破，廣泛應用于早期的無線電通信、雷達和計算機等設備中。它是後續更先進的擴散型晶體管（如台面晶體管、平面晶體管）發展的重要先驅。
- 英文對照： Historical Importance - Represented a significant advancement in high-frequency transistor technology in the 1950s (e.g., by Philco), finding use in early radios, radar, and computers, and paving the way for diffused transistors like mesa and planar types.
- 來源：知識庫 (基于電子技術發展史)。
現代視角 (Modern Context)
- 中文釋義：隨着平面工藝和矽基擴散/外延技術的成熟，表面勢壘晶體管因其相對複雜的制造工藝和性能限制，已被更可靠、集成度更高、性能更優越的現代雙極結型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）所取代。但其利用肖特基勢壘的概念在現代半導體器件（如肖特基二極管、MESFET、HEMT）中仍有重要應用。
- 英文對照： Superseded Technology - Largely superseded by modern silicon planar bipolar junction transistors (BJTs) and field-effect transistors (FETs) due to advancements in diffusion, epitaxy, and integrated circuit fabrication, offering better reliability, integration, and performance. However, the concept of Schottky barriers remains vital in devices like Schottky diodes, MESFETs, and HEMTs.
- 來源：知識庫 (基于半導體器件演進曆程)。

網絡擴展解釋

表面勢壘晶體管是一種利用半導體表面形成的電勢差（即表面勢壘）來控制電流的半導體器件。以下是其核心要點：

表面勢壘的形成
- 表面勢壘通常由兩種機制産生：
  - 金屬-半導體接觸：當金屬與半導體表面接觸時，因電子能級差異形成勢壘（類似“堤壩”），電子需足夠能量才能越過。
  - 表面原子排列中斷：半導體表面原子排列不連續，加上氧化或污染等外界因素，導緻表面電子能态與内部不同。例如，N型材料表面能帶向上彎曲，P型則向下彎曲，形成電勢差。
晶體管的工作原理
表面勢壘通過調節電勢差的高低，控制載流子（電子或空穴）的流動，實現電流的開關或放大功能。其特性與傳統晶體管類似，但利用表面勢壘效應可能具備更高響應速度或特定場景的優化性能。
基本結構與材料
通常以矽、鍺等半導體材料制成，結合金屬電極或摻雜工藝構建表面勢壘區域，具有體積小、抗震性強、功耗低等優點。
應用領域
主要用于高頻電路、檢波器、放大器等電子設備，尤其在需要快速開關或低損耗的場景中發揮作用。

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