键的极化英文解释翻译、键的极化的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【机】 bond polarization

分词翻译：

键的英语翻译：

bond; key
【计】 K; key; keyt
【化】 key; linkage; spline
【医】 bond; key; linkage

极化的英语翻译：

【化】 polarization
【医】 polarization; polarize

专业解析

在电子工程与材料科学领域，"键的极化"（Bond Polarization）指化学键中电子云分布不对称的现象，通常由成键原子间的电负性差异引起。该效应直接影响材料的介电性质与半导体器件的载流子行为，具体可从以下维度解析：

一、核心概念与物理机制

1. 电子偏移与偶极矩形成

   当不同电负性的原子成键时（如Si-O、Ga-As），电子云偏向电负性较高的原子，形成键偶极矩。其量化公式为：

   $$ mu = q times d $$

   其中 $mu$ 为键矩，$q$ 为部分电荷量，$d$ 为正负电荷中心距离。

2. 极化率与电场响应

   外电场作用下，键内电子云进一步畸变，产生诱导极化（电子极化）。极化率 $alpha$ 满足：

   $$ alpha = frac{mu{ind}}{E} $$

   $mu{ind}$ 为诱导偶极矩，$E$ 为电场强度。

二、工程应用实例

• MOSFET栅极介质

  高介电常数（high-κ）材料如 $ce{HfO2}$ 中，Hf-O键的强极化特性可增强电容效应，替代传统 $ce{SiO2}$ 以抑制量子隧穿泄漏电流。

• 压电传感器设计

  石英晶体（$ce{SiO2}$）的Si-O键极化在机械应力下产生电荷位移，实现力-电信号转换。

三、权威参考文献

1. 固体物理基础理论

   Ashcroft与Mermin在《Solid State Physics》中系统阐述化学键极化对介电常数的影响机制（Chapter 27）。

2. 半导体器件物理

   S.M. Sze《Physics of Semiconductor Devices》第3版详细分析键极化对PN结耗尽区电场分布的调制作用（Section 1.4）。

3. 材料表征技术

   《Journal of Applied Physics》第112卷载文通过X射线光电子能谱（XPS）验证GaN中Ga-N键极化率与缺陷态关联性（DOI: 10.1063/1.4749807）。

四、相关术语汉英对照

注：文献来源未提供可公开访问的链接，建议通过学术数据库（如IEEE Xplore、APS Journals）检索标题获取全文。

网络扩展解释

键的极化是指化学键在外界因素（如电场、邻近离子或极性分子）影响下，电子分布发生暂时偏移的现象。以下是详细解释：

一、基本概念

1. 极化本质
   当外界电场或带电粒子靠近时，化学键中的电子云会发生偏移，导致正负电荷中心分离，形成瞬时偶极矩。例如，非极性的Br-Br键在电场作用下会暂时产生极性。

2. 与键极性的区别

   • 键极性：由成键原子电负性差异引起的永久性电荷分布不均（如H-Cl键）。
   • 键极化：外界诱导产生的暂时性电荷偏移，随外界作用消失而恢复。

二、极化类型

1. 离子极化
   常见于离子键中，正离子通过电场作用使负离子的电子云变形（极化作用），而负离子也可能反作用于正离子（附加极化），尤其当正离子半径大、电荷低时更显著。

2. 共价键极化
   共价键在外界电场下产生诱导偶极矩，如非极性分子Br₂在电场中瞬间极化。这种极化能力称为可极化性，与键的类型和原子特性相关。

三、影响因素

• 离子电荷与半径：高电荷、小半径的正离子极化能力强；大半径的负离子易被极化。
• 键的类型：金属键和离子键极化性较弱，共价键（尤其长键、弱键）更易极化。

四、实际意义

极化现象影响物质性质，如离子极化增强会导致化合物熔点降低、颜色加深，甚至从离子晶体向共价晶体转变。

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