
【電】 intrinsic mobility
essence; genius; inbeing; essentiality; substance
【醫】 entity
move; remove; ambulate; migrate; shift; transfer; travel
【計】 escapement; move; roaming
【醫】 excursion; phoresis; shift; transmigration
frank; hasty; lead; modulus; quotiety; rash; rate; ratio; usually
【醫】 rate
【經】 rater.
本質移動率(Intrinsic Mobility)是半導體物理學中的核心參數,指材料在理想純淨狀态下電荷載流子(電子或空穴)的遷移能力,反映其内部電導特性。該指标不摻雜雜質或晶格缺陷幹擾,僅由材料本身的晶體結構及原子間作用力決定。
在半導體器件設計中,本質移動率直接影響晶體管開關速度與集成電路效率。以矽材料為例,其室溫下電子本質移動率約為1500 cm²/(V·s),而空穴移動率較低(約450 cm²/(V·s)),這一差異源于矽晶體中電子與空穴的有效質量不同。氮化镓(GaN)等高電子遷移率材料因本質移動率超過2000 cm²/(V·s),被廣泛應用于高頻通信器件。
國際半導體技術路線圖(ITRS)指出,本質移動率的理論計算需基于玻爾茲曼輸運方程,通過求解載流子散射概率與能量分布函數實現。實驗測量則需采用霍爾效應儀結合範德堡法,在超低溫(<10K)與高真空環境下排除雜質幹擾。牛津大學出版社《半導體物理基礎》第9章詳細推導了本質移動率與溫度的關系公式: $$ μ_{int} = frac{eτ}{m^} $$ 其中τ為平均散射時間,m為載流子有效質量。
關于“本質移動率”這一表述,目前沒有權威資料或公開文獻明确解釋其定義。根據詞語拆分和常見領域推測,可能存在以下兩種理解方向:
哲學/抽象概念
若從字面拆分,“本質”指事物根本屬性,“移動率”可能指變化或運動的速率。組合後或可理解為“事物内在核心屬性的動态變化規律”,例如用于描述社會結構、意識形态等抽象概念的演變速度。
特定領域術語
在個别專業領域可能存在特殊定義:
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