
【电】 intrinsic mobility
essence; genius; inbeing; essentiality; substance
【医】 entity
move; remove; ambulate; migrate; shift; transfer; travel
【计】 escapement; move; roaming
【医】 excursion; phoresis; shift; transmigration
frank; hasty; lead; modulus; quotiety; rash; rate; ratio; usually
【医】 rate
【经】 rater.
本质移动率(Intrinsic Mobility)是半导体物理学中的核心参数,指材料在理想纯净状态下电荷载流子(电子或空穴)的迁移能力,反映其内部电导特性。该指标不掺杂杂质或晶格缺陷干扰,仅由材料本身的晶体结构及原子间作用力决定。
在半导体器件设计中,本质移动率直接影响晶体管开关速度与集成电路效率。以硅材料为例,其室温下电子本质移动率约为1500 cm²/(V·s),而空穴移动率较低(约450 cm²/(V·s)),这一差异源于硅晶体中电子与空穴的有效质量不同。氮化镓(GaN)等高电子迁移率材料因本质移动率超过2000 cm²/(V·s),被广泛应用于高频通信器件。
国际半导体技术路线图(ITRS)指出,本质移动率的理论计算需基于玻尔兹曼输运方程,通过求解载流子散射概率与能量分布函数实现。实验测量则需采用霍尔效应仪结合范德堡法,在超低温(<10K)与高真空环境下排除杂质干扰。牛津大学出版社《半导体物理基础》第9章详细推导了本质移动率与温度的关系公式: $$ μ_{int} = frac{eτ}{m^} $$ 其中τ为平均散射时间,m为载流子有效质量。
关于“本质移动率”这一表述,目前没有权威资料或公开文献明确解释其定义。根据词语拆分和常见领域推测,可能存在以下两种理解方向:
哲学/抽象概念
若从字面拆分,“本质”指事物根本属性,“移动率”可能指变化或运动的速率。组合后或可理解为“事物内在核心属性的动态变化规律”,例如用于描述社会结构、意识形态等抽象概念的演变速度。
特定领域术语
在个别专业领域可能存在特殊定义:
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