本質光導電性英文解釋翻譯、本質光導電性的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 intrinsic photoconductivity

分詞翻譯：

本質光的英語翻譯：

【電】 idiochromatic

導的英語翻譯：

guide; lead; teach; transmit
【醫】 guidance; guide

電的英語翻譯：

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

專業解析

本質光導電性（Intrinsic Photoconductivity）是指材料在未摻雜狀态下，因吸收光子能量引發内部電子能帶躍遷而産生的導電性變化現象。其物理機制基于本征半導體的能帶理論：當入射光子的能量大于材料禁帶寬度（$E_g$）時，價帶電子受激發躍遷至導帶，同時産生自由電子和空穴，形成光生載流子對，從而顯著提升材料的電導率。

該現象的核心參數包括：

光譜響應範圍：由材料禁帶寬度決定，例如矽（Si）在近紅外至可見光波段（1.1 eV禁帶）表現出本征光電導特性
載流子壽命：影響響應速度，本征材料通常達微秒量級
量子效率：理想條件下每吸收一個光子産生一對載流子

在應用層面，本質光導電性是光伏器件（如太陽能電池）和光電探測器的基礎原理。美國國家标準與技術研究院（NIST）的研究表明，單晶矽的本征光電導率在标準光照條件下可達$10^{-4} mathrm{S/cm}$量級（來源：NIST材料數據庫）。

網絡擴展解釋

“本質光導電性”（intrinsic photoconductivity）是一個物理學術語，指材料在光照條件下由于其固有特性（而非外部摻雜或缺陷）産生的電導率變化現象。具體解釋如下：

1.概念拆解

本質（intrinsic）：指材料本身的純淨屬性，例如純淨半導體中由原子周期性排列決定的能帶結構。
光導電性（photoconductivity）：材料吸收光子後，内部載流子（電子或空穴）濃度增加，導緻電導率升高的現象。

2.機制原理

當光照射到材料（如半導體）時：

光子能量吸收：若光子能量大于材料的禁帶寬度（$E_g$），電子從價帶躍遷到導帶，形成自由電子-空穴對（本征激發）。
載流子遷移：産生的自由載流子在電場作用下定向移動，形成電流，表現為電導率升高。

3.典型材料

本征半導體（如純矽、鍺）：光照下通過本征激發産生載流子，是本質光導電性的典型示例。
其他材料：部分絕緣體或特定晶體在特定光波段下也可能表現出該特性。

4.與“非本質”的區别

非本質光導電性：由材料中的雜質、缺陷或摻雜引起，例如摻磷矽中的雜質能級激發。
本質光導電性：僅依賴材料本身的能帶結構，無需外部因素幹預。

5.應用領域

光電探測器：利用光導電性将光信號轉化為電信號。
太陽能電池：通過本征激發實現光能到電能的轉換。

本質光導電性揭示了材料在純淨狀态下光與電的相互作用機制，是半導體物理和光電子器件研究的重要基礎概念。