輝光電位英文解釋翻譯、輝光電位的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯:
【電】 glow potentialr
分詞翻譯:
輝的英語翻譯:
brightness; shine; splendour
光電位的英語翻譯:
【化】 photopotential
專業解析
輝光電位 (Glow Potential) 指在特定電化學過程(如微弧氧化或陽極氧化)中,金屬表面開始産生可見輝光放電現象時所對應的臨界電壓值。這個電位标志着從普通電解過程向等離子體放電階段的轉變,是形成功能性陶瓷氧化膜的關鍵參數。其核心含義包括:
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電化學機制
當施加電壓達到輝光電位時,金屬/電解液界面發生介質擊穿,産生局部等離子體放電通道。此時電流通過微放電維持,在金屬表面形成高溫高壓微區,促使熔融氧化物快速冷卻結晶,生成高硬度、耐腐蝕的陶瓷層。該過程區别于常規陽極氧化,需精确控制電位在輝光放電區間以優化膜層性能 。
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技術價值
輝光電位直接影響氧化膜的結構與性能:
- 膜層緻密性:較高輝光電位(如鋁合金的 450-600V)利于生成厚且緻密的 α-Al₂O₃ 相,提升耐磨性;
- 功能特性:通過調控電位可制備具有催化、絕緣或生物活性的複合膜層;
- 工藝窗口:穩定維持輝光放電需電壓介于擊穿電位(起始輝光)與弧光電位(過度放電)之間,避免膜層燒蝕 。
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典型應用場景
- 航空航天:钛合金部件表面微弧氧化處理(輝光電位 300-400V),增強抗高溫氧化性;
- 生物醫學:鎂合金植入物表面調控(輝光電位 350-450V),延緩降解速率并促進骨整合;
- 工業防腐:鋁合金液壓系統元件處理(輝光電位 500-650V),提升耐鹽霧腐蝕壽命 。
權威參考來源
- 《表面工程手冊》(ASM International):闡述輝光電位在等離子體電解氧化中的物理模型與工藝控制要點。
- 《電化學氧化技術進展》(Elsevier):分析不同金屬體系(Al, Mg, Ti)的輝光電位範圍及膜層生長動力學。
- 《材料保護學報》:實證研究輝光電位對鋁合金微弧氧化膜耐蝕性的影響機制。
網絡擴展解釋
“輝光電位”是一個相對專業的術語,通常與電化學、材料表面處理或氣體放電現象相關。根據常見科學場景,其可能的含義如下:
1.基本定義
輝光電位(Glow Potential)一般指在特定條件下(如氣體放電、電化學反應等),材料表面或電極達到的某一臨界電位值。當電位達到該值時,系統會觸發輝光放電現象,即氣體被電離并發光,常見于霓虹燈、等離子體設備等。
2.典型應用場景
- 氣體放電:在低壓氣體中,施加電壓至輝光電位時,氣體分子被電離,形成穩定的輝光放電(如熒光燈、霓虹燈)。
- 電化學處理:在金屬表面處理(如陽極氧化)中,特定電位可能引發表面反應并伴隨輝光現象,用于改善材料性能。
- 等離子體技術:在等離子體清洗或鍍膜工藝中,輝光電位是維持等離子體穩定放電的關鍵參數。
3.相關物理機制
輝光放電的形成需滿足以下條件:
- 電壓條件:電位需超過氣體的擊穿電壓(即輝光電位)。
- 電流限制:需通過限流裝置(如電阻)防止電流過大導緻電弧放電。
- 氣體環境:通常在低壓惰性氣體(如氩氣、氖氣)中更易發生。
4.補充說明
若用戶提及的是特定領域(如半導體、電池材料),可能需要結合具體上下文進一步分析。例如:
- 在锂離子電池中,某些電極材料在充放電時會因相變産生微弱發光,可能與“輝光電位”相關。
- 在表面分析技術(如掃描隧道顯微鏡)中,局域電場可能誘導表面發光現象。
如需更精準的解釋,建議提供具體語境或查閱電化學、等離子體物理領域的專業文獻。
分類
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