耗盡型場效應晶體管英文解釋翻譯、耗盡型場效應晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 dependent mode field effect transistor

分詞翻譯：

耗盡的英語翻譯：

out of store; use up; deplete; drain; exhaust; swallow
【計】 exhausting
【經】 exhaust; exhaustion

型的英語翻譯：

model; mould; type
【醫】 form; habit; habitus; pattern; series; Ty.; type
【經】 type

場效應晶體管的英語翻譯：

【計】 FET; field effect transistor

專業解析

耗盡型場效應晶體管（Depletion-mode Field-Effect Transistor，簡稱Depletion-mode FET 或 D-FET）是一種重要的半導體器件。其核心特征在于：即使在栅極（Gate）電壓為零（(V_{GS} = 0)）時，導電溝道（Channel）已經存在。這意味着器件在零栅壓下就處于導通狀态（ON state），需要通過施加特定極性的栅極電壓來“耗盡”（Deplete）溝道中的載流子，從而減小或關斷（Turn off）電流。

以下是對其詳細解釋：

基本結構與工作原理 (Basic Structure and Operating Principle)
- 耗盡型FET的結構與增強型FET類似，主要包含源極（Source）、漏極（Drain）、栅極（Gate）和溝道。其關鍵區别在于制造工藝：在栅極下方的溝道區域，預先通過摻雜（Doping）等方式形成了導電通路。
- 零栅壓導通 (Conduction at (V_{GS} = 0)): 由于溝道在制造時已存在，當在漏極和源極之間施加電壓（(V{DS})）時，即使栅極電壓 (V{GS} = 0)，也會有顯著的漏極電流（(I_D)）流過。這是耗盡型FET最顯著的特征。
- 耗盡模式操作 (Depletion-mode Operation):
  - 對于N溝道耗盡型FET：施加負栅源電壓（(V_{GS} < 0)）時，栅極電場會排斥溝道中的電子（多數載流子），使溝道變窄，導電能力下降，(ID)減小。當 (V{GS}) 負到一定程度（達到夾斷電壓 (VP) 或阈值電壓 (V{th})，通常為負值），溝道被完全“耗盡”，器件關斷（(I_D approx 0)）。
  - 對于P溝道耗盡型FET：原理類似，但載流子為空穴，需要施加正栅源電壓（(V_{GS} > 0)）來耗盡溝道、減小 (I_D) 直至關斷。
- 增強模式操作 (Enhancement-mode Operation - Limited): 對于N溝道耗盡型FET，施加正栅源電壓（(V_{GS} > 0)）時，會吸引更多電子進入溝道，使溝道變寬，導電能力增強，(I_D) 增大。但這種“增強”作用是在原有導通基礎上的進一步增大，其核心特性仍是零栅壓導通和負栅壓關斷。
與增強型FET的區别 (Comparison with Enhancement-mode FET)
- 導通條件: 耗盡型FET在 (V{GS} = 0) 時導通；增強型FET在 (V{GS} = 0) 時關斷（溝道不存在），需要施加特定極性（N溝道為正，P溝道為負）的栅壓來“增強”或“反型”形成溝道才能導通。
- 阈值電壓 ((V_{th})) 符號: 耗盡型FET（N溝）的 (V{th}) 通常為負值（如 -3V）；增強型FET（N溝）的 (V{th}) 為正值（如 +2V）。
- 應用靈活性: 耗盡型FET可以在正、負、零栅壓下工作，提供更大的設計靈活性，特别適合需要常開狀态或特定偏置的電路。
主要類型 (Main Types)
- 結型耗盡型FET (Junction Depletion-mode FET, JFET): 利用PN結反偏産生的耗盡區寬度來控制溝道導電性。JFET隻能是耗盡型工作模式。
- 金屬氧化物半導體耗盡型FET (MOS Depletion-mode FET, MOSFET): 利用絕緣栅（通常是二氧化矽）上的電壓産生的電場來控制溝道。MOSFET既可以做成耗盡型，也可以做成增強型。
典型應用 (Typical Applications)
- 常開開關 (Normally-on Switch): 利用其零栅壓導通的特性。
- 恒流源 (Constant Current Source): JFET（耗盡型）常用作簡單的、自偏置的恒流二極管或電流源。
- 模拟開關/放大器 (Analog Switches/Amplifiers): 在特定電路設計中，耗盡型MOSFET可用于模拟開關或放大器輸入級。
- 射頻電路 (RF Circuits): 某些特殊的高頻耗盡型器件用于射頻放大等應用。

參考來源 (References):

: IEEE Xplore Digital Library (General knowledge on FET operation modes). (Note: Specific standard documents like IEEE Std 100 or textbooks would be ideal references).
: All About Circuits - "Field-Effect Transistors (FET)" (https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-5/). (Provides practical explanations and comparisons).
: Electronics Tutorials - "MOSFET Amplifier" (https://www.electronics-tutorials.ws/amplifier/amp_6.html) (Covers MOSFET types including depletion-mode).

網絡擴展解釋

耗盡型場效應晶體管（Depletion-mode Field-Effect Transistor，簡稱D-FET）是一種通過栅極電壓控制導電溝道狀态的半導體器件。以下是其核心要點：

一、基本定義

耗盡型場效應晶體管在零栅極電壓（V_GS=0）時已存在導電溝道，此時器件處于導通狀态。當施加負栅極電壓時，溝道中的載流子被“耗盡”，導緻電流減小直至關閉。

二、結構與原理

制造工藝
在絕緣層（如SiO₂）中預先摻入大量正離子，這些離子在P型襯底中感應出電子，形成N型導電溝道（以N溝道為例）。
電壓調控
- V_GS=0：溝道已存在，漏極電流I_D較大；
- V_GS<0：電場削弱溝道電子濃度，電流減小；
- V_GS=夾斷電壓（V_P）：溝道完全關閉，I_D=0。

三、關鍵特性

雙向導電性：可通過正/負栅壓調節電流，但通常工作在負栅壓模式；
高輸入阻抗：栅極與溝道絕緣，輸入阻抗可達10⁸~10⁹Ω；
低關斷漏電流：關閉時漏電流極小，適合低功耗場景。

四、應用領域

高頻開關電路：因響應速度快，用于射頻放大器；
模拟信號處理：如音頻放大器，利用其線性調節特性；
穩壓電路：通過栅壓精确控制電流輸出。

五、與增強型的區别

特性	耗盡型	增強型
零栅壓狀态	導通	關閉
典型控制電壓	負電壓關閉	正電壓開啟
適用場景	常開設備、模拟信號	數字電路、低功耗開關

耗盡型場效應晶體管通過預置溝道實現零壓導通，適用于需要常開狀态或線性調節的場景，其工作原理基于栅極電場對溝道載流子的調控。如需進一步了解制造細節或具體電路設計，可參考、2、7、9的原始資料。