耗尽型场效应晶体管英文解释翻译、耗尽型场效应晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 dependent mode field effect transistor

分词翻译：

耗尽的英语翻译：

out of store; use up; deplete; drain; exhaust; swallow
【计】 exhausting
【经】 exhaust; exhaustion

型的英语翻译：

model; mould; type
【医】 form; habit; habitus; pattern; series; Ty.; type
【经】 type

场效应晶体管的英语翻译：

【计】 FET; field effect transistor

专业解析

耗尽型场效应晶体管（Depletion-mode Field-Effect Transistor，简称Depletion-mode FET 或 D-FET）是一种重要的半导体器件。其核心特征在于：即使在栅极（Gate）电压为零（(V_{GS} = 0)）时，导电沟道（Channel）已经存在。这意味着器件在零栅压下就处于导通状态（ON state），需要通过施加特定极性的栅极电压来“耗尽”（Deplete）沟道中的载流子，从而减小或关断（Turn off）电流。

以下是对其详细解释：

基本结构与工作原理 (Basic Structure and Operating Principle)
- 耗尽型FET的结构与增强型FET类似，主要包含源极（Source）、漏极（Drain）、栅极（Gate）和沟道。其关键区别在于制造工艺：在栅极下方的沟道区域，预先通过掺杂（Doping）等方式形成了导电通路。
- 零栅压导通 (Conduction at (V_{GS} = 0)): 由于沟道在制造时已存在，当在漏极和源极之间施加电压（(V{DS})）时，即使栅极电压 (V{GS} = 0)，也会有显著的漏极电流（(I_D)）流过。这是耗尽型FET最显著的特征。
- 耗尽模式操作 (Depletion-mode Operation):
  - 对于N沟道耗尽型FET：施加负栅源电压（(V_{GS} < 0)）时，栅极电场会排斥沟道中的电子（多数载流子），使沟道变窄，导电能力下降，(ID)减小。当 (V{GS}) 负到一定程度（达到夹断电压 (VP) 或阈值电压 (V{th})，通常为负值），沟道被完全“耗尽”，器件关断（(I_D approx 0)）。
  - 对于P沟道耗尽型FET：原理类似，但载流子为空穴，需要施加正栅源电压（(V_{GS} > 0)）来耗尽沟道、减小 (I_D) 直至关断。
- 增强模式操作 (Enhancement-mode Operation - Limited): 对于N沟道耗尽型FET，施加正栅源电压（(V_{GS} > 0)）时，会吸引更多电子进入沟道，使沟道变宽，导电能力增强，(I_D) 增大。但这种“增强”作用是在原有导通基础上的进一步增大，其核心特性仍是零栅压导通和负栅压关断。
与增强型FET的区别 (Comparison with Enhancement-mode FET)
- 导通条件: 耗尽型FET在 (V{GS} = 0) 时导通；增强型FET在 (V{GS} = 0) 时关断（沟道不存在），需要施加特定极性（N沟道为正，P沟道为负）的栅压来“增强”或“反型”形成沟道才能导通。
- 阈值电压 ((V_{th})) 符号: 耗尽型FET（N沟）的 (V{th}) 通常为负值（如 -3V）；增强型FET（N沟）的 (V{th}) 为正值（如 +2V）。
- 应用灵活性: 耗尽型FET可以在正、负、零栅压下工作，提供更大的设计灵活性，特别适合需要常开状态或特定偏置的电路。
主要类型 (Main Types)
- 结型耗尽型FET (Junction Depletion-mode FET, JFET): 利用PN结反偏产生的耗尽区宽度来控制沟道导电性。JFET只能是耗尽型工作模式。
- 金属氧化物半导体耗尽型FET (MOS Depletion-mode FET, MOSFET): 利用绝缘栅（通常是二氧化硅）上的电压产生的电场来控制沟道。MOSFET既可以做成耗尽型，也可以做成增强型。
典型应用 (Typical Applications)
- 常开开关 (Normally-on Switch): 利用其零栅压导通的特性。
- 恒流源 (Constant Current Source): JFET（耗尽型）常用作简单的、自偏置的恒流二极管或电流源。
- 模拟开关/放大器 (Analog Switches/Amplifiers): 在特定电路设计中，耗尽型MOSFET可用于模拟开关或放大器输入级。
- 射频电路 (RF Circuits): 某些特殊的高频耗尽型器件用于射频放大等应用。

参考来源 (References):

: IEEE Xplore Digital Library (General knowledge on FET operation modes). (Note: Specific standard documents like IEEE Std 100 or textbooks would be ideal references).
: All About Circuits - "Field-Effect Transistors (FET)" (https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-5/). (Provides practical explanations and comparisons).
: Electronics Tutorials - "MOSFET Amplifier" (https://www.electronics-tutorials.ws/amplifier/amp_6.html) (Covers MOSFET types including depletion-mode).

网络扩展解释

耗尽型场效应晶体管（Depletion-mode Field-Effect Transistor，简称D-FET）是一种通过栅极电压控制导电沟道状态的半导体器件。以下是其核心要点：

一、基本定义

耗尽型场效应晶体管在零栅极电压（V_GS=0）时已存在导电沟道，此时器件处于导通状态。当施加负栅极电压时，沟道中的载流子被“耗尽”，导致电流减小直至关闭。

二、结构与原理

制造工艺
在绝缘层（如SiO₂）中预先掺入大量正离子，这些离子在P型衬底中感应出电子，形成N型导电沟道（以N沟道为例）。
电压调控
- V_GS=0：沟道已存在，漏极电流I_D较大；
- V_GS<0：电场削弱沟道电子浓度，电流减小；
- V_GS=夹断电压（V_P）：沟道完全关闭，I_D=0。

三、关键特性

双向导电性：可通过正/负栅压调节电流，但通常工作在负栅压模式；
高输入阻抗：栅极与沟道绝缘，输入阻抗可达10⁸~10⁹Ω；
低关断漏电流：关闭时漏电流极小，适合低功耗场景。

四、应用领域

高频开关电路：因响应速度快，用于射频放大器；
模拟信号处理：如音频放大器，利用其线性调节特性；
稳压电路：通过栅压精确控制电流输出。

五、与增强型的区别

特性	耗尽型	增强型
零栅压状态	导通	关闭
典型控制电压	负电压关闭	正电压开启
适用场景	常开设备、模拟信号	数字电路、低功耗开关

耗尽型场效应晶体管通过预置沟道实现零压导通，适用于需要常开状态或线性调节的场景，其工作原理基于栅极电场对沟道载流子的调控。如需进一步了解制造细节或具体电路设计，可参考、2、7、9的原始资料。