
【計】 depletion layer
out of store; use up; deplete; drain; exhaust; swallow
【計】 exhausting
【經】 exhaust; exhaustion
layer; region; stage; story; stratum; tier
【計】 layer
【醫】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum
耗盡層(Depletion Region) 是半導體物理學和電子工程領域的關鍵概念,指在PN結或金屬-半導體接觸界面附近,載流子(電子和空穴)濃度顯著低于半導體本體區域的一個空間電荷區。其形成原理、特性及應用如下:
當P型半導體(空穴為主)與N型半導體(電子為主)接觸時,界面處發生載流子擴散:P區的空穴向N區擴散,N區的電子向P區擴散,導緻界面附近留下不可移動的電離雜質(如P區的負離子、N區的正離子)。這些固定電荷形成内建電場,方向由N區指向P區,阻礙載流子進一步擴散。最終擴散與電場作用達到動态平衡,形成載流子耗盡的區域,即耗盡層(來源:施敏,《半導體器件物理》,第2章)。
空間電荷分布
耗盡層内淨電荷密度不為零,P區側帶負電(受主離子),N區側帶正電(施主離子),形成偶極層。電荷分布滿足泊松方程: $$ frac{dphi}{dx} = -frac{rho(x)}{varepsilon_s} $$ 其中 $phi$ 為電勢,$rho$ 為電荷密度,$varepsilon_s$ 為半導體介電常數(來源:Neamen, 《半導體物理與器件》,第7章)。
内建電勢與寬度
耗盡層寬度 $W$ 取決于摻雜濃度和内建電勢 $V_{bi}$: $$ W = sqrt{frac{2varepsilons V{bi}}{q} left( frac{1}{N_A} + frac{1}{N_D} right)} $$ 其中 $N_A$、$N_D$ 分别為受主和施主濃度,$q$ 為電子電荷(來源:Pierret, 《半導體器件基礎》,第5章)。
中文 | 英文 | 定義描述 |
---|---|---|
耗盡層 | Depletion Region | 載流子濃度近乎為零的空間電荷區 |
空間電荷區 | Space Charge Zone | 含固定電離雜質電荷的區域,與耗盡層常互換使用 |
内建電場 | Built-in Electric Field | 由電離雜質電荷産生的電場,阻礙載流子擴散 |
勢壘高度 | Barrier Height | 耗盡層兩側的電勢差,決定載流子跨越界面的能量門檻 |
注:以上内容綜合經典半導體物理教材,定義與原理已通過學術及工程實踐驗證。因術語解釋屬基礎理論,未提供外部鍊接,權威性來源見引用的标準教材章節。
耗盡層(Depletion Region)是半導體物理學中的核心概念,主要存在于PN結結構中。以下是其詳細解釋:
耗盡層是PN結中由于載流子擴散與漂移作用達到動态平衡時形成的區域。該區域内自由載流子(電子和空穴)濃度極低,幾乎被“耗盡”,僅留下不可移動的帶電離子(如摻雜的雜質離子),因此呈現高電阻特性。
耗盡層是半導體器件(如二極管、晶體管)工作的基礎,其寬度變化直接影響器件的導電特性。
在石油/天然氣開采中,“耗盡層”偶被借用描述資源枯竭的地層(),但此用法非主流,需結合上下文判斷。
氨米諾德財團殘酷的觸簧醇醛縮合反應瓷染劑丁字帶多過程控制器鉻鞣腸線共聚勾引男性的女人加型算符緊閉式麻醉進出口公司晶棱近來基普發生器快鍵淚珠留置導尿管能斯基氏試驗噴砂嘴汽車外胎清算人和受托人發出的欠債證明奇異命題生育力死油彎紋锉微球菌素