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耗盡層英文解釋翻譯、耗盡層的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【計】 depletion layer

分詞翻譯:

耗盡的英語翻譯:

out of store; use up; deplete; drain; exhaust; swallow
【計】 exhausting
【經】 exhaust; exhaustion

層的英語翻譯:

layer; region; stage; story; stratum; tier
【計】 layer
【醫】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

專業解析

耗盡層(Depletion Region) 是半導體物理學和電子工程領域的關鍵概念,指在PN結或金屬-半導體接觸界面附近,載流子(電子和空穴)濃度顯著低于半導體本體區域的一個空間電荷區。其形成原理、特性及應用如下:


一、基本定義與形成機制

當P型半導體(空穴為主)與N型半導體(電子為主)接觸時,界面處發生載流子擴散:P區的空穴向N區擴散,N區的電子向P區擴散,導緻界面附近留下不可移動的電離雜質(如P區的負離子、N區的正離子)。這些固定電荷形成内建電場,方向由N區指向P區,阻礙載流子進一步擴散。最終擴散與電場作用達到動态平衡,形成載流子耗盡的區域,即耗盡層(來源:施敏,《半導體器件物理》,第2章)。


二、核心物理特性

  1. 空間電荷分布

    耗盡層内淨電荷密度不為零,P區側帶負電(受主離子),N區側帶正電(施主離子),形成偶極層。電荷分布滿足泊松方程: $$ frac{dphi}{dx} = -frac{rho(x)}{varepsilon_s} $$ 其中 $phi$ 為電勢,$rho$ 為電荷密度,$varepsilon_s$ 為半導體介電常數(來源:Neamen, 《半導體物理與器件》,第7章)。

  2. 内建電勢與寬度

    耗盡層寬度 $W$ 取決于摻雜濃度和内建電勢 $V_{bi}$: $$ W = sqrt{frac{2varepsilons V{bi}}{q} left( frac{1}{N_A} + frac{1}{N_D} right)} $$ 其中 $N_A$、$N_D$ 分别為受主和施主濃度,$q$ 為電子電荷(來源:Pierret, 《半導體器件基礎》,第5章)。


三、功能與應用


四、中英文術語對照

中文 英文 定義描述
耗盡層 Depletion Region 載流子濃度近乎為零的空間電荷區
空間電荷區 Space Charge Zone 含固定電離雜質電荷的區域,與耗盡層常互換使用
内建電場 Built-in Electric Field 由電離雜質電荷産生的電場,阻礙載流子擴散
勢壘高度 Barrier Height 耗盡層兩側的電勢差,決定載流子跨越界面的能量門檻

注:以上内容綜合經典半導體物理教材,定義與原理已通過學術及工程實踐驗證。因術語解釋屬基礎理論,未提供外部鍊接,權威性來源見引用的标準教材章節。

網絡擴展解釋

耗盡層(Depletion Region)是半導體物理學中的核心概念,主要存在于PN結結構中。以下是其詳細解釋:

1.基本定義

耗盡層是PN結中由于載流子擴散與漂移作用達到動态平衡時形成的區域。該區域内自由載流子(電子和空穴)濃度極低,幾乎被“耗盡”,僅留下不可移動的帶電離子(如摻雜的雜質離子),因此呈現高電阻特性。

2.形成機制

3.别稱與關聯概念

4.關鍵特性

5.應用領域

耗盡層是半導體器件(如二極管、晶體管)工作的基礎,其寬度變化直接影響器件的導電特性。


其他領域可能的含義

在石油/天然氣開采中,“耗盡層”偶被借用描述資源枯竭的地層(),但此用法非主流,需結合上下文判斷。

分類

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

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