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耗尽层英文解释翻译、耗尽层的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【计】 depletion layer

分词翻译:

耗尽的英语翻译:

out of store; use up; deplete; drain; exhaust; swallow
【计】 exhausting
【经】 exhaust; exhaustion

层的英语翻译:

layer; region; stage; story; stratum; tier
【计】 layer
【医】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

专业解析

耗尽层(Depletion Region) 是半导体物理学和电子工程领域的关键概念,指在PN结或金属-半导体接触界面附近,载流子(电子和空穴)浓度显著低于半导体本体区域的一个空间电荷区。其形成原理、特性及应用如下:


一、基本定义与形成机制

当P型半导体(空穴为主)与N型半导体(电子为主)接触时,界面处发生载流子扩散:P区的空穴向N区扩散,N区的电子向P区扩散,导致界面附近留下不可移动的电离杂质(如P区的负离子、N区的正离子)。这些固定电荷形成内建电场,方向由N区指向P区,阻碍载流子进一步扩散。最终扩散与电场作用达到动态平衡,形成载流子耗尽的区域,即耗尽层(来源:施敏,《半导体器件物理》,第2章)。


二、核心物理特性

  1. 空间电荷分布

    耗尽层内净电荷密度不为零,P区侧带负电(受主离子),N区侧带正电(施主离子),形成偶极层。电荷分布满足泊松方程: $$ frac{dphi}{dx} = -frac{rho(x)}{varepsilon_s} $$ 其中 $phi$ 为电势,$rho$ 为电荷密度,$varepsilon_s$ 为半导体介电常数(来源:Neamen, 《半导体物理与器件》,第7章)。

  2. 内建电势与宽度

    耗尽层宽度 $W$ 取决于掺杂浓度和内建电势 $V_{bi}$: $$ W = sqrt{frac{2varepsilons V{bi}}{q} left( frac{1}{N_A} + frac{1}{N_D} right)} $$ 其中 $N_A$、$N_D$ 分别为受主和施主浓度,$q$ 为电子电荷(来源:Pierret, 《半导体器件基础》,第5章)。


三、功能与应用


四、中英文术语对照

中文 英文 定义描述
耗尽层 Depletion Region 载流子浓度近乎为零的空间电荷区
空间电荷区 Space Charge Zone 含固定电离杂质电荷的区域,与耗尽层常互换使用
内建电场 Built-in Electric Field 由电离杂质电荷产生的电场,阻碍载流子扩散
势垒高度 Barrier Height 耗尽层两侧的电势差,决定载流子跨越界面的能量门槛

注:以上内容综合经典半导体物理教材,定义与原理已通过学术及工程实践验证。因术语解释属基础理论,未提供外部链接,权威性来源见引用的标准教材章节。

网络扩展解释

耗尽层(Depletion Region)是半导体物理学中的核心概念,主要存在于PN结结构中。以下是其详细解释:

1.基本定义

耗尽层是PN结中由于载流子扩散与漂移作用达到动态平衡时形成的区域。该区域内自由载流子(电子和空穴)浓度极低,几乎被“耗尽”,仅留下不可移动的带电离子(如掺杂的杂质离子),因此呈现高电阻特性。

2.形成机制

3.别称与关联概念

4.关键特性

5.应用领域

耗尽层是半导体器件(如二极管、晶体管)工作的基础,其宽度变化直接影响器件的导电特性。


其他领域可能的含义

在石油/天然气开采中,“耗尽层”偶被借用描述资源枯竭的地层(),但此用法非主流,需结合上下文判断。

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