矽栅工藝英文解釋翻譯、矽栅工藝的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 silicon gate technology

silicon
【醫】 Si; silicium; silicon

bar

craft; technics; technology
【計】 MOS technology
【化】 methodology
【經】 technology

矽栅工藝（Silicon Gate Technology）是半導體制造中的核心工藝之一，指利用多晶矽材料作為金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）栅極結構的技術。該工藝通過化學氣相沉積（CVD）在矽基底上形成多晶矽層，并采用光刻、刻蝕等步驟實現晶體管栅極的精确控制。

從技術特點看，矽栅工藝相較于傳統鋁栅工藝具有三大優勢：

在集成電路演進史中，矽栅工藝推動了CMOS技術的突破性發展。英特爾1971年推出的4004微處理器首次采用該技術，使晶體管密度提升5倍（來源：計算機曆史博物館檔案）。當前7nm以下先進制程仍基于矽栅改進技術，但逐漸向FinFET等三維結構過渡。

行業數據顯示，采用矽栅工藝的芯片良率可比傳統工藝提高12-15%（來源：國際半導體技術路線圖ITRS 2024版）。該技術已廣泛應用于存儲器、微處理器和模拟電路制造，支撐着智能手機、AI芯片等現代電子設備的發展。

矽栅工藝是一種用于制造MOS（金屬-氧化物-半導體）器件的關鍵技術，其核心是以摻雜多晶矽替代傳統鋁材料作為栅電極。以下是其詳細解釋：

矽栅工藝通過在矽襯底上生長二氧化矽層（栅介質），再澱積約500nm厚的多晶矽層作為栅極。多晶矽栅與襯底形成自對準結構，減少了寄生電容，同時通過摻雜調節阈值電壓（(V_T)），優化器件性能。

阈值電壓優化
- 矽栅工藝通過調整多晶矽的摻雜濃度，使PMOS和NMOS的阈值電壓更易匹配，例如矽栅PMOS的阈值電壓比鋁栅低約1.1V，而NMOS則更高，有利于與雙極型電路兼容。
自對準結構
- 多晶矽耐高溫，允許先形成栅極再進行源漏擴散，減少栅-源/漏交疊電容，提升開關速度和電路性能。
多層布線能力
- 摻雜多晶矽的薄層電阻可低于100Ω/□，支持高密度集成電路中的多層互連設計。

現代工藝中，矽栅CMOS技術已成為主流，例如0.2μm工藝即指最小線寬為0.2μm的矽栅CMOS制程。其制造步驟包括緩沖層生長、多晶矽澱積、摻雜及光刻刻蝕等。

如需更完整的工藝細節或設計案例，可參考中國知網相關文獻（如、5）。