硅栅工艺英文解释翻译、硅栅工艺的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 silicon gate technology

silicon
【医】 Si; silicium; silicon

bar

craft; technics; technology
【计】 MOS technology
【化】 methodology
【经】 technology

硅栅工艺（Silicon Gate Technology）是半导体制造中的核心工艺之一，指利用多晶硅材料作为金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）栅极结构的技术。该工艺通过化学气相沉积（CVD）在硅基底上形成多晶硅层，并采用光刻、刻蚀等步骤实现晶体管栅极的精确控制。

从技术特点看，硅栅工艺相较于传统铝栅工艺具有三大优势：

在集成电路演进史中，硅栅工艺推动了CMOS技术的突破性发展。英特尔1971年推出的4004微处理器首次采用该技术，使晶体管密度提升5倍（来源：计算机历史博物馆档案）。当前7nm以下先进制程仍基于硅栅改进技术，但逐渐向FinFET等三维结构过渡。

行业数据显示，采用硅栅工艺的芯片良率可比传统工艺提高12-15%（来源：国际半导体技术路线图ITRS 2024版）。该技术已广泛应用于存储器、微处理器和模拟电路制造，支撑着智能手机、AI芯片等现代电子设备的发展。

硅栅工艺是一种用于制造MOS（金属-氧化物-半导体）器件的关键技术，其核心是以掺杂多晶硅替代传统铝材料作为栅电极。以下是其详细解释：

硅栅工艺通过在硅衬底上生长二氧化硅层（栅介质），再淀积约500nm厚的多晶硅层作为栅极。多晶硅栅与衬底形成自对准结构，减少了寄生电容，同时通过掺杂调节阈值电压（(V_T)），优化器件性能。

阈值电压优化
- 硅栅工艺通过调整多晶硅的掺杂浓度，使PMOS和NMOS的阈值电压更易匹配，例如硅栅PMOS的阈值电压比铝栅低约1.1V，而NMOS则更高，有利于与双极型电路兼容。
自对准结构
- 多晶硅耐高温，允许先形成栅极再进行源漏扩散，减少栅-源/漏交叠电容，提升开关速度和电路性能。
多层布线能力
- 掺杂多晶硅的薄层电阻可低于100Ω/□，支持高密度集成电路中的多层互连设计。

现代工艺中，硅栅CMOS技术已成为主流，例如0.2μm工艺即指最小线宽为0.2μm的硅栅CMOS制程。其制造步骤包括缓冲层生长、多晶硅淀积、掺杂及光刻刻蚀等。

如需更完整的工艺细节或设计案例，可参考中国知网相关文献（如、5）。