表面電荷晶體管英文解釋翻譯、表面電荷晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 surface-charge transistor

分詞翻譯：

表面的英語翻譯：

surface; exterior; facade
【化】 surface
【醫】 superficies; surface

電荷的英語翻譯：

charge; electric charge; electricity
【化】 electric charge
【醫】 charge

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

表面電荷晶體管（Surface Charge Transistor）是一種基于半導體表面電荷效應調控電流的電子器件，其核心原理通過栅極電壓在絕緣層與半導體界面處誘導電荷層，從而控制源漏極之間的導電通道形成與阻斷。該器件在微電子學和集成電路領域具有基礎性地位，其英文術語常縮寫為SCT或與MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）概念交叉使用。

從結構組成來看，典型表面電荷晶體管包含以下三層：

金屬栅極：施加外部電壓以産生電場；
絕緣氧化層（如SiO₂）：實現電場隔離與電荷存儲；
半導體基底（如矽）：表面形成反型層作為導電溝道。

其工作特性表現為阈值電壓依賴性，當栅極電壓超過臨界值時，半導體表面形成強反型層，導通電流與遷移率、溝道寬長比呈正相關，具體關系可表示為： $$ ID = mu C{ox} frac{W}{L} left( (V{GS} - V{th})V{DS} - frac{1}{2}V{DS} right) $$ 其中$mu$為載流子遷移率，$C_{ox}$為單位面積栅氧化層電容。

該技術的主要應用覆蓋：

大規模集成電路中的邏輯門單元
功率電子系統中的開關器件
傳感器接口電路的低噪聲放大器設計

權威文獻顯示，表面電荷控制理論的發展直接推動了CMOS工藝的演進，相關參數優化方法被收錄于國際半導體技術路線圖（ITRS）。

網絡擴展解釋

“表面電荷晶體管”（Surface-Charge Transistor）是一種與電荷分布相關的半導體器件，其名稱中的“表面電荷”指代器件工作時電荷在半導體表面形成的導電通道。以下是綜合解釋：

1.基本定義

該術語的英文翻譯為Surface-Charge Transistor（），屬于晶體管的一種分類，其工作原理與電荷在半導體表面的聚集相關。與普通晶體管類似，它通過電壓控制電流的導通與關閉，但核心機制集中在表面電荷層的調控。

2.工作原理

這類晶體管可能屬于場效應晶體管（FET）的範疇。根據場效應管的工作機制（）：
- 當栅極（G）未施加電壓時，源極（S）和漏極（D）之間的溝道無有效電荷，器件處于關閉狀态（對應“0”）。
- 施加栅極電壓後，表面電荷在溝道聚集，形成導通路徑（對應“1”）。這種電荷的分布直接影響器件的開關或放大功能。

3.特性與應用

高速響應：場效應晶體管（如表面電荷型）的切換速度可達100GHz以上（），適用于高頻電路和集成電路。
功能多樣性：可用于信號放大、穩壓、開關控制等場景（）。

4.與其他晶體管的區别

與雙極性晶體管不同，表面電荷晶體管主要依賴電場效應而非電荷載流子的注入，因此功耗更低、集成度更高（）。

如需更具體的器件結構或應用案例，建議參考電子工程領域的專業文獻或權威資料。