挤压电阻英文解释翻译、挤压电阻的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 pinched resistor

crowd; press; crush; shove; squeeze; wring
【法】 milk

【电】 piezoresistance

挤压电阻（Compression Resistor）是电子工程领域中对压敏电阻（Varistor）或压阻效应（Piezoresistive Effect）的非正式表述，其核心含义与材料在机械应力作用下的电阻变化特性相关。

挤压电阻现象指半导体或金属材料在外力挤压下发生形变，导致内部晶格结构改变，从而影响载流子迁移率并改变电阻值。这种特性遵循压阻效应公式： $$ Delta R/R = K cdot epsilon $$ 其中ΔR为电阻变化量，K为压阻系数，ε为应变值。

该特性被广泛应用于：

关键指标包括压阻系数（典型值：硅材料约100×10⁻¹¹/Pa）、线性度误差（<0.1%FS）和温度系数（±0.02%/℃），具体参数可参考IEEE标准1451.4-2004。

需注意"挤压电阻"并非IEC标准术语，建议专业文献中采用"压敏电阻"（Varistor）或"压阻效应"（Piezoresistive Effect）等规范表述，相关定义可查证《英汉电子工程词典》（科学出版社，2020）。

“挤压电阻”是一种应用于半导体器件（如功率器件）中的特定结构设计，主要用于优化器件的耐压、导通电阻等性能。根据的实用新型专利描述，其核心结构包括：

基本组成：
- 由第一掺杂类型半导体衬底作为基础层，上方生长第二掺杂类型外延层（与外延层掺杂类型相反），形成PN结基础结构。
- 通过高压阱和深阱（均为第二掺杂类型）的叠加，构建高耐压区域，用于承受高电场。
电阻设计原理：
- 挤压电阻的欧姆接触区直接设置在外延层内，而外延层通常为轻掺杂，电阻率较高。通过精确控制掺杂浓度和几何尺寸，形成特定阻值的电阻路径。
- 与漏极欧姆接触区（位于深阱内）形成分离结构，可能在电流流经外延层时产生可控的电阻效应，平衡导通损耗与耐压能力。
功能作用：
- 均流作用：在功率器件（如LDMOS）中，挤压电阻可分散电流密度，防止局部过热，提升器件可靠性。
- 耐压增强：结合高压阱与深阱的梯度掺杂设计，优化电场分布，提高击穿电压。
- 工艺整合：该结构可与传统半导体工艺兼容，无需额外掩模步骤，适合大规模生产。

该设计常见于高压集成电路、电源管理芯片等领域，是功率半导体器件中平衡导通电阻（Rds(on)）与击穿电压的关键技术之一。