金屬氧化物半導體積分電路英文解釋翻譯、金屬氧化物半導體積分電路的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 metal oxide semiconductor field0effect transistor

分詞翻譯：

金屬氧化物的英語翻譯：

【計】 dysphasia

半導體積分電路的英語翻譯：

【電】 semiconductor integrated circuit

專業解析

金屬氧化物半導體積分電路（Metal-Oxide-Semiconductor Integrated Circuit, MOS IC）是一種基于金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）技術的大規模集成電路。其核心結構由金屬栅極、二氧化矽絕緣層和半導體基底（如矽）組成，通過光刻和摻雜工藝将數百萬個微型元件集成到單一芯片上。該技術具有高輸入阻抗、低靜态功耗以及高密度集成的特點，廣泛應用于微處理器、存儲器和模拟信號處理領域。

從技術原理看，MOS IC利用栅極電壓控制半導體表面導電溝道的形成與消失，實現電流開關功能。氧化層（通常為SiO₂）的厚度直接影響器件的阈值電壓和可靠性。現代互補式金屬氧化物半導體（CMOS）技術進一步結合N型與P型MOS管，顯著降低動态功耗，使移動設備和物聯網芯片得以普及。

行業數據顯示，全球95%以上的集成電路采用MOS工藝制造，其發展遵循摩爾定律，目前5納米制程技術已實現商用（參見IEEE電子器件協會技術報告）。該技術持續推動着人工智能芯片和自動駕駛系統等前沿領域的創新突破。

注：實際引用來源應為權威機構公開資料，例如：

Wikipedia MOSFET
《半導體器件物理》（施敏著）
IEEE Electron Device Letters
TSMC技術白皮書
國際半導體産業協會（SEMI）年度報告

網絡擴展解釋

“金屬氧化物半導體積分電路”是一個組合術語，需拆解為兩部分理解：

金屬氧化物半導體（MOS）
指以金屬-氧化物-半導體結構為核心的電子器件，常見于場效應晶體管（MOSFET）。這類器件具有高輸入阻抗和低功耗特性，廣泛應用于集成電路中。
積分電路
一種使輸出信號與輸入信號的時間積分值成比例的電路，核心元件通常包含電阻和電容（RC電路），用于波形變換（如方波轉三角波）、消除放大電路失調電壓等場景。

組合含義
該術語可能描述基于MOS器件的積分電路設計，例如采用MOSFET作為開關或放大元件的積分電路。這種設計可優化電路性能，如提高集成度或降低功耗，常見于模拟集成電路中。

注意
的翻譯存在歧義，原術語“metal oxide semiconductor field-effect transistor”實際應為“金屬氧化物半導體場效應晶體管”（MOSFET），與“積分電路”分屬不同概念。兩者結合時需明确上下文關系。