金属氧化物半导体积分电路英文解释翻译、金属氧化物半导体积分电路的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 metal oxide semiconductor field0effect transistor

分词翻译：

金属氧化物的英语翻译：

【计】 dysphasia

半导体积分电路的英语翻译：

【电】 semiconductor integrated circuit

专业解析

金属氧化物半导体积分电路（Metal-Oxide-Semiconductor Integrated Circuit, MOS IC）是一种基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）技术的大规模集成电路。其核心结构由金属栅极、二氧化硅绝缘层和半导体基底（如硅）组成，通过光刻和掺杂工艺将数百万个微型元件集成到单一芯片上。该技术具有高输入阻抗、低静态功耗以及高密度集成的特点，广泛应用于微处理器、存储器和模拟信号处理领域。

从技术原理看，MOS IC利用栅极电压控制半导体表面导电沟道的形成与消失，实现电流开关功能。氧化层（通常为SiO₂）的厚度直接影响器件的阈值电压和可靠性。现代互补式金属氧化物半导体（CMOS）技术进一步结合N型与P型MOS管，显著降低动态功耗，使移动设备和物联网芯片得以普及。

行业数据显示，全球95%以上的集成电路采用MOS工艺制造，其发展遵循摩尔定律，目前5纳米制程技术已实现商用（参见IEEE电子器件协会技术报告）。该技术持续推动着人工智能芯片和自动驾驶系统等前沿领域的创新突破。

注：实际引用来源应为权威机构公开资料，例如：

Wikipedia MOSFET
《半导体器件物理》（施敏著）
IEEE Electron Device Letters
TSMC技术白皮书
国际半导体产业协会（SEMI）年度报告

网络扩展解释

“金属氧化物半导体积分电路”是一个组合术语，需拆解为两部分理解：

金属氧化物半导体（MOS）
指以金属-氧化物-半导体结构为核心的电子器件，常见于场效应晶体管（MOSFET）。这类器件具有高输入阻抗和低功耗特性，广泛应用于集成电路中。
积分电路
一种使输出信号与输入信号的时间积分值成比例的电路，核心元件通常包含电阻和电容（RC电路），用于波形变换（如方波转三角波）、消除放大电路失调电压等场景。

组合含义
该术语可能描述基于MOS器件的积分电路设计，例如采用MOSFET作为开关或放大元件的积分电路。这种设计可优化电路性能，如提高集成度或降低功耗，常见于模拟集成电路中。

注意
的翻译存在歧义，原术语“metal oxide semiconductor field-effect transistor”实际应为“金属氧化物半导体场效应晶体管”（MOSFET），与“积分电路”分属不同概念。两者结合时需明确上下文关系。