晶體管效應英文解釋翻譯、晶體管效應的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 transistor effect

分詞翻譯：

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

效應的英語翻譯：

effect
【醫】 effect

專業解析

晶體管效應（Transistor Effect）是半導體器件中的核心工作機制，指通過外加電場或電流控制半導體材料内載流子分布，從而實現信號放大、開關控制等功能的現象。以下從物理機制和應用角度分述：

1. 基礎定義與物理機制

   晶體管效應基于半導體材料的PN結特性。以雙極型晶體管（BJT）為例，當基極-發射極間施加正向偏置電壓時，少數載流子（電子或空穴）注入基區，并在集電結反向偏置電場作用下形成集電極電流。場效應晶體管（FET）則通過栅極電壓調節導電溝道寬度，控制源漏電流。這一過程遵循肖克利方程（Shockley equation）：

   $$

   I_C = IS left( e^{frac{V{BE}}{nV_T}} - 1 right)

   $$

   其中$I_S$為飽和電流，$V_T$為熱電壓。

2. 核心特性與應用

   晶體管效應實現了三大功能：

• 電流放大：BJT中集電極電流$I_C$與基極電流$I_B$滿足$beta = I_C/I_B$，典型放大倍數$beta$為20-200；
• 電壓控制：MOSFET的栅極電壓$V_{GS}$通過氧化層電容耦合改變溝道電導；
• 高速開關：現代CMOS晶體管的開關速度可達皮秒級，支撐計算機邏輯電路。

3. 行業标準與權威參考

   根據IEEE标準1785-2022，晶體管效應參數需滿足特定溫度穩定性與噪聲系數要求。美國物理聯合會（AIP）的《應用物理評論》指出，異質結雙極晶體管（HBT）利用能帶工程将截止頻率提升至太赫茲範圍。

（參考資料：1. Encyclopædia Britannica半導體條目；2. IEEE Xplore器件模型庫；3. 清華大學出版社《半導體物理與器件》；4. Intel技術白皮書；5. IEEE标準文檔；6. AIP Publishing期刊論文）

網絡擴展解釋

晶體管效應是指晶體管在工作時基于半導體特性産生的多種物理現象，主要包括電場控制電流、放大作用及熱效應等。以下是其核心要點：

1.場效應原理（核心機制）

晶體管通過外加電場控制導電溝道的載流子密度，從而調節電流。例如，場效應晶體管（FET）利用垂直電場的強弱改變半導體溝道中多數載流子的濃度。與雙極型晶體管不同，場效應晶體管僅依賴多數載流子導電，屬于單極型器件。

2.直流電流放大效應

在直流工作狀态下，晶體管的基極電流微小變化會引發集電極電流顯著放大，其放大倍數（如β值）通常為常數。例如，基極輸入電流變化1μA可能導緻集電極輸出電流變化100μA。

3.基區調變效應

• Early效應：集電結電壓變化導緻基區有效寬度改變，進而影響電流放大特性。電壓升高時，基區變窄，放大倍數增大。
• Kirk效應：大電流下集電結空間電荷區向襯底擴展，等效基區寬度增加，可能引發電流分布不均（電流集聚）。

4.熱效應

晶體管工作時，電能轉化為熱能，尤其集電結是主要發熱源。熱阻由内部材料（矽片、焊料等）和外部散熱條件共同決定，加裝散熱器可降低外熱阻，提升功率容量。

5.應用與意義

晶體管效應是電子設備的核心基礎，支持信號放大、開關控制等功能，廣泛應用于計算機、通信和醫療等領域。其高效的電控特性推動了現代電子技術的微型化和高效化。

如需進一步了解具體效應（如Early效應的數學公式），可參考相關文獻或教材中的詳細推導。

分類

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

别人正在浏覽...

擺攤權表情性麻痹鼻背動脈不結盟的甙配基電離層漂流杜諾凡氏菌屬多階諧波交流極譜法法律的規定副垂體肱肌關稅國境合點監護人的權力尖頭的繼電器加法器解除管制聯苯氨試驗流氓習氣離心處理乳買下産權或管理權磨牙後三角諾依搏爾氏動脈平衡攤還計劃羟基那可汀勢在必行的水封接縫酸性媒染黑外彙動态尾槳