結式二極管英文解釋翻譯、結式二極管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 junction diode

分詞翻譯：

結的英語翻譯：

congeal; form; knot; settle; vinculum; weave
【醫】 knob; knot; node; nodule; noduli; nodulus; nodus; noeud

式的英語翻譯：

ceremony; formula; model; pattern; ritual; style; type
【化】 expression
【醫】 F.; feature; formula; Ty.; type

二極管的英語翻譯：

diode
【化】 diode

專業解析

結式二極管（Junction Diode），中文又稱PN結二極管，是半導體器件中最基本的結構，由一塊P型半導體和一塊N型半導體通過特殊工藝緊密結合形成PN結，并在兩端引出電極構成。其核心特性是單向導電性，即隻允許電流從陽極（P區）流向陰極（N區），反向則呈現高阻态。

核心特性與工作原理

PN結形成
當P型（空穴為主）與N型（電子為主）半導體接觸時，界面處載流子擴散形成耗盡層（空間電荷區），産生内建電場，阻止多數載流子繼續擴散，達到動态平衡。
正向偏置導通
陽極接正電壓、陰極接負電壓時，外電場削弱内建電場，耗盡層變窄，多數載流子擴散形成電流（正向電流$I_F propto e^{qV/kT}$）。
反向偏置截止
陽極接負電壓、陰極接正電壓時，外電場增強内建電場，耗盡層變寬，僅少數載流子漂移形成微小反向飽和電流（$I_S$），近似絕緣。
擊穿現象
反向電壓超過擊穿電壓（$V_{BR}$）時，發生雪崩或齊納擊穿，電流急劇增大（需限流保護）。

關鍵參數與工程應用

整流作用：利用單向導電性将交流電轉換為直流電，如電源適配器中的橋式整流電路。
開關特性：正向導通等效低電阻，反向截止等效高電阻，用于數字電路邏輯門。
結電容（$C_J$）：耗盡層電荷變化等效電容，影響高頻響應速度，分為勢壘電容（$C_B$）和擴散電容（$C_D$）。
溫度效應：正向壓降（$V_F$）負溫度系數（約$-2text{mV}/^circtext{C}$），反向飽和電流（$I_S$）正溫度系數。

術語中英對照

中文術語	英文術語
結式二極管	Junction Diode
PN結	PN Junction
耗盡層	Depletion Region
正向偏置	Forward Bias
反向偏置	Reverse Bias
擊穿電壓	Breakdown Voltage ($V_{BR}$)
反向飽和電流	Reverse Saturation Current ($I_S$)

權威參考來源：

Robert F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals (Addison-Wesley, 1996), PN結物理模型章節。
Texas Instruments, Diodes Fundamentals (技術手冊 TIDU986), 偏置特性分析。
ON Semiconductor, Diode Applications Guide (文檔號 AND9166), 整流電路設計案例。
IEEE Xplore, "Avalanche Breakdown in Silicon Diodes" (Journal of Applied Physics, Vol. 32), 擊穿機制研究。

網絡擴展解釋

結式二極管（又稱結型二極管）是一種基于PN結結構的半導體器件，其核心由P型半導體和N型半導體結合形成。以下是詳細解釋：

一、基本結構

PN結構成：由兩種不同導電類型的半導體材料（P型富空穴，N型富電子）通過特殊工藝結合而成。
電極引腳：包含兩個端子，P端為陽極（A），N端為陰極（K），電流隻能從陽極流向陰極。

二、工作原理

單向導電性：正向偏置時（陽極接高電位），PN結導通電流；反向偏置時，電流幾乎被阻斷。
擊穿特性：包括齊納擊穿（用于穩壓二極管）和雪崩擊穿（用于高壓場景）。

三、主要類型與應用

整流/檢波二極管：利用單向導電性轉換交流為直流。
穩壓二極管：通過反向擊穿特性穩定電壓。
開關二極管：快速切換導通與截止狀态，用于數字電路。
發光二極管（LED）：特殊結型結構，通電時發光。

四、材料特性

矽（Si）：常用材料，反向擊穿電壓高，適用于通用場景。
鍺（Ge）：導電性好但漏電流大，多用于高頻電路。

五、與其他二極管的區别

結式二極管特指基于PN結的傳統型器件，而肖特基二極管等新型器件依賴其他物理原理（如金屬-半導體接觸）。

總結來看，結式二極管是半導體技術的基礎元件，其特性由PN結的物理機制決定，廣泛應用于電子電路的整流、穩壓、信號處理等領域。