靜态雙極存儲器英文解釋翻譯、靜态雙極存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 static bipolar memory

分詞翻譯：

靜态的英語翻譯：

static state
【計】 dead level; quiescent condition; quiescent state; quieting
static RAM chip; stop motion
【經】 stationary state

雙極存儲器的英語翻譯：

【計】 bipolar memory

專業解析

靜态雙極存儲器（Static Bipolar Memory）是一種早期的高速半導體隨機存取存儲器（RAM），其核心特征與工作原理如下：

一、術語定義與核心特性

1. 靜态（Static）

   指存儲單元采用雙穩态觸發器（如晶體管-晶體管邏輯電路）保存數據，無需周期性刷新即可保持信息穩定。其數據保留能力僅依賴電源供應，斷電即丢失（易失性存儲器）。

2. 雙極（Bipolar）

   基于雙極結型晶體管（BJT）技術制造，區别于現代主流的CMOS（互補金屬氧化物半導體）工藝。雙極晶體管通過電子和空穴兩種載流子工作，具有高開關速度特性。

二、技術原理與結構

• 存儲單元結構：每個存儲位通常由兩個交叉耦合的雙極晶體管構成觸發器，輔以電阻負載。例如，典型的ECL（發射極耦合邏輯）結構可實現亞納秒級讀寫速度。
• 讀寫機制：通過字線（Word Line）選擇存儲單元，位線（Bit Line）傳輸數據。讀寫操作由電流開關控制，速度顯著快于同時期的動态存儲器（DRAM）。

三、性能與曆史地位

1. 高速優勢：訪問延遲低至10-100納秒，1970年代曾用于超級計算機（如Cray-1）的高速緩存。
2. 功耗與密度缺陷：雙極晶體管存在靜态電流損耗，導緻功耗高、發熱大；同時集成密度低于MOS工藝，限制容量擴展。
3. 技術替代：1980年代後逐漸被CMOS SRAM取代，後者兼具低功耗和高集成度優勢。

四、現代應用與意義

當前雙極存儲器已退出主流市場，但其設計思想影響深遠：

• 作為早期高速存儲解決方案，推動了計算機體系結構發展。
• 在特殊領域（如抗輻射加固存儲器）仍有研究價值。

參考文獻

1. IEEE Xplore, "Bipolar Memory Technology Review"
2. MIT OpenCourseWare, "Semiconductor Memory Fundamentals"
3. Computer History Museum, "SRAM Evolution"
4. University of Cambridge, "High-Speed Memory Architectures"

網絡擴展解釋

靜态雙極存儲器是一種早期的半導體存儲器技術，其核心特征包含以下兩方面：

一、靜态特性

采用雙穩态觸發器電路存儲數據，每個存儲單元由兩個交叉耦合的反相器構成。這種結構使得數據在通電狀态下可長期保持（無需刷新電路），與動态存儲器（DRAM）需要周期性刷新形成對比。

二、雙極技術

使用雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor）作為開關元件，而非現代更常見的CMOS技術。這種技術特點包括：

1. 高速特性：存取速度可達納秒級，曾用于早期高速緩存
2. 功耗較高：相比MOS管，雙極晶體管導通時存在基極電流，導緻更大功耗
3. 工藝複雜度：制造時需要更多摻雜步驟，成本較高

典型應用場景

在1970-1980年代應用于：

• 超級計算機的高速緩存
• 航天器抗輻射存儲器
• 工業控制設備的非易失性存儲（需配合電池）

當前該技術已基本被CMOS工藝的SRAM取代，但在特殊領域（如輻射環境）仍有應用。其演進體現了存儲器技術從速度優先向低功耗、高集成度發展的趨勢。

分類

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

别人正在浏覽...

奧爾氏療法財産保險讒言者唇鞭毛蟲屬大黃根酸铋等相區電偶極矩電子哨兵短信道額淚縫夫妻共有的財産氟石固有波長海運交易所耗盡婚姻權甲醇法脫碳假定的小數點焦硼酸汞機械調諧速率聯産品法李特耳氏管捏碎潑尼立定人工嬗變色訊删除受壓損壞特種生産訂單同輩