静态双极存储器英文解释翻译、静态双极存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 static bipolar memory

分词翻译：

静态的英语翻译：

static state
【计】 dead level; quiescent condition; quiescent state; quieting
static RAM chip; stop motion
【经】 stationary state

双极存储器的英语翻译：

【计】 bipolar memory

专业解析

静态双极存储器（Static Bipolar Memory）是一种早期的高速半导体随机存取存储器（RAM），其核心特征与工作原理如下：

一、术语定义与核心特性

1. 静态（Static）

   指存储单元采用双稳态触发器（如晶体管-晶体管逻辑电路）保存数据，无需周期性刷新即可保持信息稳定。其数据保留能力仅依赖电源供应，断电即丢失（易失性存储器）。

2. 双极（Bipolar）

   基于双极结型晶体管（BJT）技术制造，区别于现代主流的CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺。双极晶体管通过电子和空穴两种载流子工作，具有高开关速度特性。

二、技术原理与结构

• 存储单元结构：每个存储位通常由两个交叉耦合的双极晶体管构成触发器，辅以电阻负载。例如，典型的ECL（发射极耦合逻辑）结构可实现亚纳秒级读写速度。
• 读写机制：通过字线（Word Line）选择存储单元，位线（Bit Line）传输数据。读写操作由电流开关控制，速度显著快于同时期的动态存储器（DRAM）。

三、性能与历史地位

1. 高速优势：访问延迟低至10-100纳秒，1970年代曾用于超级计算机（如Cray-1）的高速缓存。
2. 功耗与密度缺陷：双极晶体管存在静态电流损耗，导致功耗高、发热大；同时集成密度低于MOS工艺，限制容量扩展。
3. 技术替代：1980年代后逐渐被CMOS SRAM取代，后者兼具低功耗和高集成度优势。

四、现代应用与意义

当前双极存储器已退出主流市场，但其设计思想影响深远：

• 作为早期高速存储解决方案，推动了计算机体系结构发展。
• 在特殊领域（如抗辐射加固存储器）仍有研究价值。

参考文献

1. IEEE Xplore, "Bipolar Memory Technology Review"
2. MIT OpenCourseWare, "Semiconductor Memory Fundamentals"
3. Computer History Museum, "SRAM Evolution"
4. University of Cambridge, "High-Speed Memory Architectures"

网络扩展解释

静态双极存储器是一种早期的半导体存储器技术，其核心特征包含以下两方面：

一、静态特性

采用双稳态触发器电路存储数据，每个存储单元由两个交叉耦合的反相器构成。这种结构使得数据在通电状态下可长期保持（无需刷新电路），与动态存储器（DRAM）需要周期性刷新形成对比。

二、双极技术

使用双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor）作为开关元件，而非现代更常见的CMOS技术。这种技术特点包括：

1. 高速特性：存取速度可达纳秒级，曾用于早期高速缓存
2. 功耗较高：相比MOS管，双极晶体管导通时存在基极电流，导致更大功耗
3. 工艺复杂度：制造时需要更多掺杂步骤，成本较高

典型应用场景

在1970-1980年代应用于：

• 超级计算机的高速缓存
• 航天器抗辐射存储器
• 工业控制设备的非易失性存储（需配合电池）

当前该技术已基本被CMOS工艺的SRAM取代，但在特殊领域（如辐射环境）仍有应用。其演进体现了存储器技术从速度优先向低功耗、高集成度发展的趋势。

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