晶體不完整性英文解釋翻譯、晶體不完整性的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 crystal imperfection

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

【化】 inperfect
【經】 inchoate; infirmity

晶體不完整性（Crystal Imperfection）指晶體内部原子排列偏離理想周期性結構的現象，是材料科學與固體物理學中的重要概念。根據缺陷的幾何形态及成因，可将其分為以下四類：

點缺陷（Point Defects）
包括空位、間隙原子和雜質原子。例如，半導體材料中摻入磷原子形成n型矽時，磷作為替位雜質産生自由電子。此類缺陷直接影響材料的電導率和光學性質，相關定義可參考《材料科學基礎》（馮端著）。
線缺陷（Line Defects）
即位錯，分為刃型位錯和螺型位錯。金屬塑性變形主要由位錯運動引起，該理論由Taylor、Orowan和Polanyi共同提出，詳見《晶體缺陷與位錯理論》（J. Friedel著）。
面缺陷（Planar Defects）
包含晶界、相界和堆垛層錯。多晶材料中晶界的存在顯著影響材料的機械強度，國際純粹與應用化學聯合會（IUPAC）将晶界定義為“相鄰晶粒間的過渡區域”。
體缺陷（Volume Defects）
如空洞、包裹體和析出相。美國材料試驗協會（ASTM E1245-03）将超過三個原子直徑的三維缺陷歸類為體缺陷，這類缺陷會降低單晶器件的性能穩定性。

晶體缺陷研究對半導體器件開發（如控制矽晶體中的氧沉澱）、金屬強化機制（通過位錯釘紮提升強度）具有核心價值。國際晶體學聯合會（IUCr）發布的《晶體學術語表》将缺陷密度作為評估晶體質量的關鍵參數。

晶體不完整性是指實際晶體中原子或分子的排列偏離理想周期性結構的區域，通常稱為晶體缺陷。以下是其詳細解釋：

晶體不完整性源于實際晶體無法達到理想晶體的絕對有序狀态。理想晶體中原子呈無限周期重複的三維有序排列，但現實中存在雜質、晶界、位錯等因素破壞這種完美性。例如，多晶材料中的晶界會擾亂原子的規則排列。

根據幾何形态，晶體缺陷分為四類：

晶體不完整性顯著影響材料性質：

通過控制缺陷（如摻雜半導體、強化金屬晶界），可優化材料性能。缺陷研究是凝聚态物理和材料科學的核心方向之一。

總結來看，晶體不完整性是實際晶體普遍存在的現象，既是材料性能的“雙刃劍”，也是調控材料特性的關鍵突破口。