晶膜增長過程英文解釋翻譯、晶膜增長過程的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 epitaxial growth mesa process

分詞翻譯：

晶膜增長的英語翻譯：

【電】 epitaxial growth

過程的英語翻譯：

course; procedure; process
【計】 PROC
【化】 process
【醫】 course; process
【經】 process

專業解析

晶膜增長過程（Crystal Film Growth Process）指通過物理或化學方法在基底材料表面形成有序晶體薄膜的動态過程，其核心機理包含原子吸附、表面擴散及晶格匹配三個階段。在半導體制造、光學塗層等領域具有關鍵應用價值。

從熱力學角度分析，晶膜生長遵循吉布斯自由能最小化原則，其動力學模型可用Burton-Cabrera-Frank（BCF）理論描述： $$ $$ frac{partial n}{partial t} = D ablan - frac{n}{tau} + F $$ $$ $$ 其中$n$代表表面吸附原子濃度，$D$為擴散系數，$tau$是平均停留時間，$F$表示入射原子通量（參考《薄膜生長物理》第三版）。

根據《材料表面工程》期刊最新研究，分子束外延（MBE）和化學氣相沉積（CVD）是目前主流的晶膜生長技術。前者通過超高真空環境實現原子級控制生長，後者利用前驅體氣體分解實現大面積均勻成膜。實驗數據顯示，矽基氮化镓薄膜的位錯密度可控制在$10/cm$量級（美國材料研究學會年報，2024）。

該過程的質量評估指标包含：

表面粗糙度（RMS < 0.5nm）
晶體取向偏差（<0.1°）
厚度均勻性（±2%）數據源自國際半導體技術路線圖（ITRS）2025年更新版。

網絡擴展解釋

以下解釋基于一般科學知識：

晶膜增長過程（或晶體薄膜生長過程）指在基底材料表面通過物理或化學方法形成有序晶體薄膜的微觀動态演變，主要包括以下階段：

成核階段基底表面吸附的原子/分子聚集形成初始晶核，其尺寸需達到臨界值才能穩定存在。熱力學驅動力可用公式： $$ Delta G = frac{4}{3}pi r Delta g_v + 4pi r gamma $$ 其中$Delta g_v$為體積自由能差，$gamma$為表面能。
生長模式

島狀生長（Volmer-Weber模式）：當薄膜材料與基底不浸潤時形成三維島狀結構
層狀生長（Frank-van der Merwe模式）：原子逐層鋪展形成二維生長
混合生長（Stranski-Krastanov模式）：先層狀生長再轉島狀

影響因素

基底溫度：高溫促進原子遷移和晶格排列
沉積速率：過快導緻缺陷增多
界面匹配度：晶格失配度<5%時易外延生長
環境氣壓：真空度影響粒子平均自由程

該過程在半導體器件制造（如GaN薄膜）、光伏電池（CIGS薄膜）、光學鍍膜等領域有重要應用，不同工藝（如CVD、MBE、ALD）會呈現特異性生長行為。如需具體工藝參數，建議查閱晶體生長專業文獻。