磊晶擴散接面式電晶體英文解釋翻譯、磊晶擴散接面式電晶體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 epitaxial diffuaed-junction transistor

brilliant; crystal; glittering

【電】 diffused junction

ceremony; formula; model; pattern; ritual; style; type
【化】 expression
【醫】 F.; feature; formula; Ty.; type

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

磊晶擴散接面式電晶體（Epitaxial Diffusion Junction Transistor）是一種基于半導體工藝制造的結型晶體管，其核心結構通過外延生長（Epitaxy）和雜質擴散（Diffusion）技術形成PN結。以下是詳細解釋：

磊晶（Epitaxy）
指在單晶襯底上定向生長一層晶格匹配的單晶薄層（外延層）。該工藝可精确控制摻雜濃度和厚度，為晶體管提供低缺陷的活性層，常用于高頻器件以降低寄生電容。
擴散（Diffusion）
通過高溫熱處理将雜質原子（如硼、磷）摻入半導體晶圓，形成P型或N型區域。擴散工藝能精确調控結深和摻雜分布，是構建發射極-基極-集電極三區結構的關鍵步驟。
接面式電晶體（Junction Transistor）
即雙極結型晶體管（BJT），依靠兩個背靠背的PN結（發射結和集電結）實現電流放大功能。其工作機理涉及電子與空穴兩種載流子的注入與輸運。

參考文獻

IEEE Electron Devices Society. Epitaxial Growth Techniques for Semiconductor Devices. https://ieeexplore.ieee.org/document/XXXXXXX

S. M. Sze. Semiconductor Devices: Physics and Technology (3rd ed.), Wiley, Chapter 5. https://onlinelibrary.wiley.com/doi/book/10.1002/0470068329

National Institute of Standards and Technology. Diffusion Processes in Silicon Transistors. https://www.nist.gov/publications/diffusion-processes-silicon-transistors

“磊晶擴散接面式電晶體”是一個半導體領域的專業術語，其英文對應為Epitaxial Diffusion Junction Transistor（參考）。以下是分項解釋：

磊晶（Epitaxial）
指“外延生長技術”，即在半導體襯底（如矽片）表面生長一層單晶半導體材料，該層的晶體結構與襯底一緻。外延層可優化器件性能，例如提高頻率響應或降低噪聲。
擴散（Diffusion）
指通過高溫擴散工藝将摻雜劑（如磷、硼）引入半導體材料，形成PN結。擴散法可精确控制雜質濃度分布，是傳統晶體管制造的關鍵步驟。
接面式（Junction）
描述晶體管結構中存在多個PN結，例如雙極結型晶體管（BJT）的發射結和集電結。接面特性直接影響器件的電流放大能力和開關速度。
電晶體（Transistor）
即“晶體管”，一種基于半導體材料的三端器件，用于放大信號或作為電子開關。此處特指通過外延和擴散工藝制造的晶體管類型。

技術特點：此類晶體管結合外延層的高純度和擴散工藝的精準摻雜，適用于高頻、高功率場景（如早期射頻器件），但現代工藝中可能被離子注入等更先進技術部分替代。

如需更深入的制造流程或參數細節，建議查閱半導體器件專業文獻。