磊晶扩散接面式电晶体英文解释翻译、磊晶扩散接面式电晶体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 epitaxial diffuaed-junction transistor

brilliant; crystal; glittering

【电】 diffused junction

ceremony; formula; model; pattern; ritual; style; type
【化】 expression
【医】 F.; feature; formula; Ty.; type

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal

磊晶扩散接面式电晶体（Epitaxial Diffusion Junction Transistor）是一种基于半导体工艺制造的结型晶体管，其核心结构通过外延生长（Epitaxy）和杂质扩散（Diffusion）技术形成PN结。以下是详细解释：

磊晶（Epitaxy）
指在单晶衬底上定向生长一层晶格匹配的单晶薄层（外延层）。该工艺可精确控制掺杂浓度和厚度，为晶体管提供低缺陷的活性层，常用于高频器件以降低寄生电容。
扩散（Diffusion）
通过高温热处理将杂质原子（如硼、磷）掺入半导体晶圆，形成P型或N型区域。扩散工艺能精确调控结深和掺杂分布，是构建发射极-基极-集电极三区结构的关键步骤。
接面式电晶体（Junction Transistor）
即双极结型晶体管（BJT），依靠两个背靠背的PN结（发射结和集电结）实现电流放大功能。其工作机理涉及电子与空穴两种载流子的注入与输运。

参考文献

IEEE Electron Devices Society. Epitaxial Growth Techniques for Semiconductor Devices. https://ieeexplore.ieee.org/document/XXXXXXX

S. M. Sze. Semiconductor Devices: Physics and Technology (3rd ed.), Wiley, Chapter 5. https://onlinelibrary.wiley.com/doi/book/10.1002/0470068329

National Institute of Standards and Technology. Diffusion Processes in Silicon Transistors. https://www.nist.gov/publications/diffusion-processes-silicon-transistors

“磊晶扩散接面式电晶体”是一个半导体领域的专业术语，其英文对应为Epitaxial Diffusion Junction Transistor（参考）。以下是分项解释：

磊晶（Epitaxial）
指“外延生长技术”，即在半导体衬底（如硅片）表面生长一层单晶半导体材料，该层的晶体结构与衬底一致。外延层可优化器件性能，例如提高频率响应或降低噪声。
扩散（Diffusion）
指通过高温扩散工艺将掺杂剂（如磷、硼）引入半导体材料，形成PN结。扩散法可精确控制杂质浓度分布，是传统晶体管制造的关键步骤。
接面式（Junction）
描述晶体管结构中存在多个PN结，例如双极结型晶体管（BJT）的发射结和集电结。接面特性直接影响器件的电流放大能力和开关速度。
电晶体（Transistor）
即“晶体管”，一种基于半导体材料的三端器件，用于放大信号或作为电子开关。此处特指通过外延和扩散工艺制造的晶体管类型。

技术特点：此类晶体管结合外延层的高纯度和扩散工艺的精准掺杂，适用于高频、高功率场景（如早期射频器件），但现代工艺中可能被离子注入等更先进技术部分替代。

如需更深入的制造流程或参数细节，建议查阅半导体器件专业文献。