
【電】 control-grid plate transconduct-ance
"控栅屏互導"是電子工程領域的專業術語,特指真空三極管中控制栅極(control grid)、屏極(plate)與互導特性(transconductance)之間的相互作用關系。該參數用于描述控制栅極電壓變化對屏極電流的調控能力,計算公式為: $$ G_m = frac{Delta I_p}{Delta V_g} $$ 其中$G_m$代表互導值,$Delta I_p$為屏極電流變化量,$Delta V_g$為栅極電壓變化量。根據《電子管基礎理論與應用》的記載,該參數是評估電子管放大效能的核心指标。
在真空管工作狀态下,控制栅極通過負偏壓形成空間電荷控制區,其微小的電壓波動即可引起屏極電流顯著變化。這種電壓-電流轉換效率直接關系到放大器的增益和頻率響應特性。《IEEE電子器件标準術語手冊》指出,典型三極管的互導值範圍在1-10毫西門子之間,具體數值與電子管幾何結構及工作點選擇密切相關。
該參數在現代半導體器件研發中仍具參考價值,特别是在高功率射頻放大器和精密模拟電路設計領域。美國電氣電子工程師協會(IEEE)的早期研究文獻顯示,互導參數的優化可有效降低諧波失真并提升信號保真度。
“控栅屏互導”是電子管或場效應管等壓控器件中的一個專業術語,具體解釋如下:
互導(Transconductance,符號為 ( g_m ))表示在屏極(闆極)電壓保持不變時,屏極電流的變化量(( Delta I_p ))與引起該變化的控制栅極電壓變化量(( Delta V_g ))的比值。其公式為: $$ g_m = frac{Delta I_p}{Delta V_g} quad (V_p text{ 恒定}) $$ 該參數反映了栅極電壓對輸出電流的控制能力,是衡量電子管或場效應管放大性能的重要指标。
互導參數廣泛應用于:
互導的單位為西門子(S),實際應用中常以毫西門子(mS)為單位。例如,某電子管的 ( g_m = 5 , text{mS} ),表示栅極電壓每變化1V,屏極電流變化5mA。
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