
【电】 control-grid plate transconduct-ance
"控栅屏互导"是电子工程领域的专业术语,特指真空三极管中控制栅极(control grid)、屏极(plate)与互导特性(transconductance)之间的相互作用关系。该参数用于描述控制栅极电压变化对屏极电流的调控能力,计算公式为: $$ G_m = frac{Delta I_p}{Delta V_g} $$ 其中$G_m$代表互导值,$Delta I_p$为屏极电流变化量,$Delta V_g$为栅极电压变化量。根据《电子管基础理论与应用》的记载,该参数是评估电子管放大效能的核心指标。
在真空管工作状态下,控制栅极通过负偏压形成空间电荷控制区,其微小的电压波动即可引起屏极电流显著变化。这种电压-电流转换效率直接关系到放大器的增益和频率响应特性。《IEEE电子器件标准术语手册》指出,典型三极管的互导值范围在1-10毫西门子之间,具体数值与电子管几何结构及工作点选择密切相关。
该参数在现代半导体器件研发中仍具参考价值,特别是在高功率射频放大器和精密模拟电路设计领域。美国电气电子工程师协会(IEEE)的早期研究文献显示,互导参数的优化可有效降低谐波失真并提升信号保真度。
“控栅屏互导”是电子管或场效应管等压控器件中的一个专业术语,具体解释如下:
互导(Transconductance,符号为 ( g_m ))表示在屏极(板极)电压保持不变时,屏极电流的变化量(( Delta I_p ))与引起该变化的控制栅极电压变化量(( Delta V_g ))的比值。其公式为: $$ g_m = frac{Delta I_p}{Delta V_g} quad (V_p text{ 恒定}) $$ 该参数反映了栅极电压对输出电流的控制能力,是衡量电子管或场效应管放大性能的重要指标。
互导参数广泛应用于:
互导的单位为西门子(S),实际应用中常以毫西门子(mS)为单位。例如,某电子管的 ( g_m = 5 , text{mS} ),表示栅极电压每变化1V,屏极电流变化5mA。
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