摻雜元素英文解釋翻譯、摻雜元素的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【建】 alloying element

分詞翻譯：

摻的英語翻譯：

mix into

雜的英語翻譯：

miscellaneous; mixed; sundry
【機】 hetero-

元素的英語翻譯：

element
【計】 E
【化】 element
【醫】 element

專業解析

在材料科學與半導體物理領域，"摻雜元素"（Doping Element）指人為添加到純淨半導體或晶體材料中的微量雜質原子，旨在改變其電學、光學或結構性質。其核心概念與作用如下：

一、術語定義與基礎原理

漢英詞典釋義
《牛津材料科學詞典》定義摻雜元素為："Dopant—An impurity element intentionally introduced into a semiconductor to modify its electrical conductivity."（摻雜元素：為改變半導體導電性而人為引入的雜質元素）

中文語境強調"微量添加"（濃度通常為10⁻⁶~10⁻⁹量級）和"可控性"，區别于自然雜質。
作用機制
摻雜原子通過提供自由電子（N型摻雜，如磷摻矽）或空穴（P型摻雜，如硼摻矽）改變載流子濃度。例如矽中摻磷後，磷的5個價電子中4個與矽形成共價鍵，多餘1個成為自由電子。

二、科學應用與分類

半導體器件核心
- N型摻雜：采用V族元素（磷、砷），提升電子導電性，用于晶體管源/漏極。
- P型摻雜：采用III族元素（硼、镓），增強空穴導電性，構成PN結基礎。
  引用自《半導體物理與器件（第4版）》（Neamen著），ISBN 978-7-121-13608-3
功能擴展應用
- 光伏領域：鋁摻雜提升矽片光吸收率（IEEE Journal of Photovoltaics, 2021）
- 超導材料：钇摻雜鋇銅氧（YBCO）改變臨界溫度

三、技術參數标準

摻雜濃度需精确控制，國際半導體技術路線圖（ITRS）規定：

淺能級摻雜（如硼、磷）濃度誤差需<±2%
深能級摻雜（如金、鉑）用于調節載流子壽命
依據SEMI國際半導體産業标準F57-0306

權威參考來源

《牛津材料科學詞典》Oxford University Press, 2020
"Doping in Semiconductors" - Materials Today, Vol.22
Neamen, D. A. Semiconductor Physics and Devices, McGraw-Hill
SEMI Standard F57-0306: Specification for Silicon Dopant Standards

網絡擴展解釋

摻雜元素是指在材料科學中，為了改變基質材料的物理或化學性能，有目的地向其中加入少量其他元素或化合物的行為。以下是詳細解釋：

1.定義與目的

摻雜元素是通過物理或化學方法（如離子注入、擴散等）将特定雜質原子引入純淨的基質材料中。其主要目的是調控材料的電學、磁學或光學性質，例如在半導體中調整導電性，或在金屬中增強機械性能。

2.應用領域

半導體制造：在矽材料中摻入磷（P）或硼（B）等元素，形成N型或P型半導體，用于制作晶體管、二極管等。
多晶矽/單晶矽：摻雜可改變矽的能帶結構，提升太陽能電池或集成電路的性能。
冶金與化工：例如在金屬中摻雜微量元素以增強耐腐蝕性或強度。

3.方法與工藝

擴散法：高溫下使雜質原子滲透到材料内部。
離子注入：通過高能離子束将雜質打入材料表層，需結合退火工藝激活雜質并修複晶格。

4.實例

磷摻雜矽可增加自由電子，提升導電性；硼摻雜則産生空穴，形成P型半導體。
集成電路中通過摻雜形成電阻器、PN結等關鍵結構。

通過以上方式，摻雜元素成為現代材料工程和電子工業中不可或缺的技術手段。如需更全面信息，來源（如、3、4、9等）。