
【電】 grid modulation
bar
melody; mix; move; suit well; transfer
【計】 debugging mode
栅調(Gate Modulation)是場效應晶體管(FET)工作的核心機制,指通過改變施加在栅極(Gate) 上的電壓((V_{GS})),調控源極(Source) 與漏極(Drain) 之間導電溝道的寬度或載流子濃度,從而控制漏極電流((I_D)) 的過程。其本質是利用電場效應實現對半導體溝道電導的精确調制。
栅極電壓控制(Gate Voltage Control)
栅壓 (V_{GS}) 的變化在栅極下方的半導體表面形成垂直電場,該電場吸引或排斥載流子(如N溝道中的電子),改變溝道的導電能力。例如:
跨導(Transconductance)
衡量栅調效率的關鍵參數,定義為漏極電流變化量與栅壓變化量的比值: $$ g_m = frac{partial ID}{partial V{GS}} $$ 跨導越高,表明栅壓對電流的控制能力越強。
對比雙極型晶體管(BJT)
與BJT的基極電流控制(Base Current Control) 不同,栅調屬于電壓控制型,具有輸入阻抗高(通常 >1MΩ)、靜态功耗低的優勢,適用于低功耗集成電路。
S.M. Sze, Kwok K. Ng 著(Wiley出版社),第7章詳細分析FET的栅極調制機制與特性曲線。
多篇論文探讨納米級器件的栅調優化,例如:DOI: 10.1109/TED.2023.1234567(示例鍊接,實際文獻需根據具體研究更新)。
第4章“場效應晶體管”系統闡述栅調模型與工藝相關性。
關于“栅調”一詞的詳細解釋如下:
“栅調”并非現代漢語常用詞彙,其含義需拆分理解:
栅:多音多義字,常見讀音及含義包括:
調:常見含義包括調節、調諧、調配等,需結合具體語境判斷。
若該詞來源于特定領域(如電子學、方言或古籍),建議提供更多上下文以便精準解釋。若為普通語境,需确認是否為“栅欄調節”“光栅調試”等短語的簡寫形式。
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