
【电】 grid modulation
bar
melody; mix; move; suit well; transfer
【计】 debugging mode
栅调(Gate Modulation)是场效应晶体管(FET)工作的核心机制,指通过改变施加在栅极(Gate) 上的电压((V_{GS})),调控源极(Source) 与漏极(Drain) 之间导电沟道的宽度或载流子浓度,从而控制漏极电流((I_D)) 的过程。其本质是利用电场效应实现对半导体沟道电导的精确调制。
栅极电压控制(Gate Voltage Control)
栅压 (V_{GS}) 的变化在栅极下方的半导体表面形成垂直电场,该电场吸引或排斥载流子(如N沟道中的电子),改变沟道的导电能力。例如:
跨导(Transconductance)
衡量栅调效率的关键参数,定义为漏极电流变化量与栅压变化量的比值: $$ g_m = frac{partial ID}{partial V{GS}} $$ 跨导越高,表明栅压对电流的控制能力越强。
对比双极型晶体管(BJT)
与BJT的基极电流控制(Base Current Control) 不同,栅调属于电压控制型,具有输入阻抗高(通常 >1MΩ)、静态功耗低的优势,适用于低功耗集成电路。
S.M. Sze, Kwok K. Ng 著(Wiley出版社),第7章详细分析FET的栅极调制机制与特性曲线。
多篇论文探讨纳米级器件的栅调优化,例如:DOI: 10.1109/TED.2023.1234567(示例链接,实际文献需根据具体研究更新)。
第4章“场效应晶体管”系统阐述栅调模型与工艺相关性。
关于“栅调”一词的详细解释如下:
“栅调”并非现代汉语常用词汇,其含义需拆分理解:
栅:多音多义字,常见读音及含义包括:
调:常见含义包括调节、调谐、调配等,需结合具体语境判断。
若该词来源于特定领域(如电子学、方言或古籍),建议提供更多上下文以便精准解释。若为普通语境,需确认是否为“栅栏调节”“光栅调试”等短语的简写形式。
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