栅屏跨導英文解釋翻譯、栅屏跨導的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 grid-plate tranductance; grid-to-plate transconductance

分詞翻譯：

栅的英語翻譯：

bar

屏的英語翻譯：

screen
【醫】 screen; shield

跨導的英語翻譯：

【計】 transconductance

專業解析

栅屏跨導（Grid-Plate Transconductance）是電子管（真空管）領域的關鍵參數，用于描述栅極電壓對屏極（陽極）電流的控制能力。其核心定義與英文術語解析如下：

一、術語構成與漢英對照

栅（Grid）
指電子管中的控制栅極（Control Grid），英文為 Grid。其電壓變化主導管内電流調制。
屏（Plate）
指電子管的陽極（Anode），英文為 Plate 或 Anode，負責收集電子形成輸出電流。
跨導（Transconductance）
英文 Transconductance（符號 $g_m$），定義為輸出電流變化量與輸入電壓變化量的比值：

$$ g_m = frac{partial I_a}{partial V_g} $$

其中 $I_a$ 為屏極電流，$V_g$ 為栅極電壓，單位是西門子（S）或毫安/伏特（mA/V）。

二、物理意義與技術特性

栅屏跨導 $g_m$ 直接反映電子管的放大效能：

高 $g_m$ 值意味着微小栅壓變化可産生顯著屏流變化，適用于高增益放大器（如音頻前置放大）。
與内阻關系：$g_m$ 與電子管内阻 $r_p$、放大系數 $mu$ 滿足 $mu = g_m times r_p$（參見電子管特性方程）。
典型範圍：小型三極管 $g_m$ 約 1–5 mA/V，五極管可達 10 mA/V 以上。

三、應用場景

該參數在以下設計中至關重要：

放大器增益計算：電壓增益 $A_v = g_m times R_L$（$R_L$ 為負載電阻）。
高頻響應優化：高 $g_m$ 電子管可減少密勒效應，提升射頻電路帶寬。
負反饋設計：跨導值影響反饋網絡的穩定性與失真抑制效果。

四、曆史與現代關聯

“栅屏跨導”一詞源于早期電子管技術（如三極管、五極管），現今仍在真空管音頻設備及射頻功率領域應用。其概念延伸至半導體器件（如場效應管的跨導 $g_{fs}$），體現電子控制原理的通用性。

參考資料

IEEE Standard Dictionary of Electrical and Electronics Terms, IEEE Std 100-1992.
RCA Receiving Tube Manual, Technical Series RC-30, 1975.
Langford-Smith, F. (1957). Radiotron Designer's Handbook. Wireless Press.
清華大學電子工程系《電子管與微波器件基礎》教材, 2018修訂版.

網絡擴展解釋

栅屏跨導是電子管或場效應管等電壓控制型器件的重要參數，具體解釋如下：

定義

栅屏跨導（通常記為 ( g_m ) ）表示栅極電壓變化量對屏極（陽極）電流的控制能力，定義為： $$ g_m = frac{Delta I_p}{Delta V_g} $$ 其中：

( Delta I_p ) 是屏極電流的微小變化量，
( Delta V_g ) 是栅極電壓的微小變化量。

關鍵特性

物理意義
跨導反映了栅極電壓對屏極電流的控制效率。例如，若 ( g_m = 2 , text{mS} )，表示栅極電壓每變化 1 伏特，屏極電流變化 2 毫安。
單位
單位為西門子（S），常用毫西門子（mS）或微西門子（μS）表示，滿足 ( 1 , text{S} = 1 , text{A/V} )。
器件性能關聯
- 跨導值越大，器件的放大能力越強（如電子管、場效應管）。
- 在放大電路中，跨導與負載電阻的乘積決定了電壓增益（( A_v = g_m cdot R_L ) ）。

應用背景

電子管：早期用于描述栅極對陽極電流的控制，是電子管放大器的核心參數。
場效應管：延續了類似定義，栅源電壓（( V_{GS} ) ）控制漏極電流（( I_D ) ），跨導直接關聯放大性能。

補充說明

跨導的測量需基于器件的靜态工作點，且在小信號模型中適用。對于大信號或非線性區域，跨導值可能顯著變化。