栅屏跨导英文解释翻译、栅屏跨导的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 grid-plate tranductance; grid-to-plate transconductance

分词翻译：

栅的英语翻译：

bar

屏的英语翻译：

screen
【医】 screen; shield

跨导的英语翻译：

【计】 transconductance

专业解析

栅屏跨导（Grid-Plate Transconductance）是电子管（真空管）领域的关键参数，用于描述栅极电压对屏极（阳极）电流的控制能力。其核心定义与英文术语解析如下：

一、术语构成与汉英对照

栅（Grid）
指电子管中的控制栅极（Control Grid），英文为 Grid。其电压变化主导管内电流调制。
屏（Plate）
指电子管的阳极（Anode），英文为 Plate 或 Anode，负责收集电子形成输出电流。
跨导（Transconductance）
英文 Transconductance（符号 $g_m$），定义为输出电流变化量与输入电压变化量的比值：

$$ g_m = frac{partial I_a}{partial V_g} $$

其中 $I_a$ 为屏极电流，$V_g$ 为栅极电压，单位是西门子（S）或毫安/伏特（mA/V）。

二、物理意义与技术特性

栅屏跨导 $g_m$ 直接反映电子管的放大效能：

高 $g_m$ 值意味着微小栅压变化可产生显著屏流变化，适用于高增益放大器（如音频前置放大）。
与内阻关系：$g_m$ 与电子管内阻 $r_p$、放大系数 $mu$ 满足 $mu = g_m times r_p$（参见电子管特性方程）。
典型范围：小型三极管 $g_m$ 约 1–5 mA/V，五极管可达 10 mA/V 以上。

三、应用场景

该参数在以下设计中至关重要：

放大器增益计算：电压增益 $A_v = g_m times R_L$（$R_L$ 为负载电阻）。
高频响应优化：高 $g_m$ 电子管可减少密勒效应，提升射频电路带宽。
负反馈设计：跨导值影响反馈网络的稳定性与失真抑制效果。

四、历史与现代关联

“栅屏跨导”一词源于早期电子管技术（如三极管、五极管），现今仍在真空管音频设备及射频功率领域应用。其概念延伸至半导体器件（如场效应管的跨导 $g_{fs}$），体现电子控制原理的通用性。

参考资料

IEEE Standard Dictionary of Electrical and Electronics Terms, IEEE Std 100-1992.
RCA Receiving Tube Manual, Technical Series RC-30, 1975.
Langford-Smith, F. (1957). Radiotron Designer's Handbook. Wireless Press.
清华大学电子工程系《电子管与微波器件基础》教材, 2018修订版.

网络扩展解释

栅屏跨导是电子管或场效应管等电压控制型器件的重要参数，具体解释如下：

定义

栅屏跨导（通常记为 ( g_m ) ）表示栅极电压变化量对屏极（阳极）电流的控制能力，定义为： $$ g_m = frac{Delta I_p}{Delta V_g} $$ 其中：

( Delta I_p ) 是屏极电流的微小变化量，
( Delta V_g ) 是栅极电压的微小变化量。

关键特性

物理意义
跨导反映了栅极电压对屏极电流的控制效率。例如，若 ( g_m = 2 , text{mS} )，表示栅极电压每变化 1 伏特，屏极电流变化 2 毫安。
单位
单位为西门子（S），常用毫西门子（mS）或微西门子（μS）表示，满足 ( 1 , text{S} = 1 , text{A/V} )。
器件性能关联
- 跨导值越大，器件的放大能力越强（如电子管、场效应管）。
- 在放大电路中，跨导与负载电阻的乘积决定了电压增益（( A_v = g_m cdot R_L ) ）。

应用背景

电子管：早期用于描述栅极对阳极电流的控制，是电子管放大器的核心参数。
场效应管：延续了类似定义，栅源电压（( V_{GS} ) ）控制漏极电流（( I_D ) ），跨导直接关联放大性能。

补充说明

跨导的测量需基于器件的静态工作点，且在小信号模型中适用。对于大信号或非线性区域，跨导值可能显著变化。