三接面晶體管英文解釋翻譯、三接面晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 three-junction transistor

three; several; many
【計】 tri
【化】 trimethano-; trimethoxy
【醫】 tri-

receive; accept
【電】 connecting

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【醫】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

三接面晶體管（Triple-junction Transistor）是一種具有三個摻雜半導體區域和兩個PN結的半導體器件，是雙極結型晶體管（BJT）的一種結構形式。其核心功能是通過小電流（基極電流）控制大電流（集電極電流），實現信號的放大或開關作用。

結構解析：

區域構成：由三個交替摻雜的半導體區域組成：
- 發射區 (Emitter Region)：重摻雜，向基區注入多數載流子（NPN型為電子，PNP型為空穴）。
- 基區 (Base Region)：位于發射區和集電區之間，非常薄且輕摻雜，控制載流子傳輸。
- 集電區 (Collector Region)：面積較大，輕摻雜，收集從基區擴散過來的載流子。
結構成：三個區域形成兩個PN結：
- 發射結 (Emitter-Base Junction, EB結)：位于發射區與基區之間。
- 集電結 (Collector-Base Junction, CB結)：位于基區與集電區之間。

工作原理：

放大模式 (Active Mode)：這是晶體管作為放大器工作的典型狀态。
- 發射結正偏 (Forward-Biased)： EB結加正向電壓，降低勢壘，允許發射區的多數載流子（如NPN的電子）注入到基區。
- 集電結反偏 (Reverse-Biased)： CB結加反向電壓，形成強電場。
- 載流子傳輸：注入基區的載流子（少數載流子）在基區擴散。由于基區很薄且輕摻雜，大部分載流子（約95%-99.5%）能擴散到達集電結邊緣，被集電結的反偏強電場掃入集電區，形成集電極電流 $I_C$。少量載流子在基區與多數載流子複合，形成基極電流 $I_B$。
- 電流關系：集電極電流 $I_C$ 遠大于基極電流 $IB$，兩者關系由直流電流增益 $beta$ (或 $h{FE}$) 描述： $I_C = beta I_B$。發射極電流 $I_E$ 是 $I_B$ 和 $I_C$ 之和： $I_E = I_B + I_C$。
飽和模式 (Saturation Mode)： EB結和CB結均正偏。此時集電極電流 $I_C$ 不再隨 $IB$ 顯著增大，$V{CE}$ 很小（飽和壓降 $V_{CE(sat)}$），晶體管相當于一個閉合的開關。
截止模式 (Cut-off Mode)： EB結和CB結均反偏。此時隻有微小的反向漏電流（$I{CBO}$, $I{CEO}$）流過，集電極電流 $I_C$ 近似為零，晶體管相當于一個斷開的開關。

關鍵特性參數：

主要應用領域：

與場效應晶體管 (FET) 的區别：三接面晶體管（BJT）是電流控制型器件（基極電流 $I_B$ 控制集電極電流 $IC$），輸入阻抗較低。而場效應晶體管（FET）是電壓控制型器件（栅極電壓 $V{GS}$ 控制漏極電流 $I_D$），輸入阻抗極高。兩者在特性、應用場景上各有優勢。

關于“三接面晶體管”這一術語，目前沒有權威資料明确記載其定義。根據常規半導體器件知識分析，可能存在以下兩種理解方向：

可能的術語混淆
- 常規晶體管（如雙極型晶體管BJT）僅包含兩個PN結（如NPN型為“P-N”和“N-P”結），而晶閘管（SCR）等四層器件則包含三個PN結（PNPN結構）。若指此類器件，更準确的名稱應為“晶閘管”或“可控矽”。
- 若涉及異質結晶體管（如HBT），其結構可能包含不同半導體材料的接面，但通常仍以功能端（三端）而非接面數量命名。
特殊結構推測
- 假設存在三個PN結的晶體管結構，可能用于特定高頻或高壓場景，但此類設計在主流半導體領域極為罕見，實際應用中易因結構複雜導緻效率降低。

建議：請确認術語準确性或補充上下文。若需了解常規晶體管原理，可參考：