三接面晶体管英文解释翻译、三接面晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 three-junction transistor

three; several; many
【计】 tri
【化】 trimethano-; trimethoxy
【医】 tri-

receive; accept
【电】 connecting

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【医】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

三接面晶体管（Triple-junction Transistor）是一种具有三个掺杂半导体区域和两个PN结的半导体器件，是双极结型晶体管（BJT）的一种结构形式。其核心功能是通过小电流（基极电流）控制大电流（集电极电流），实现信号的放大或开关作用。

结构解析：

区域构成：由三个交替掺杂的半导体区域组成：
- 发射区 (Emitter Region)：重掺杂，向基区注入多数载流子（NPN型为电子，PNP型为空穴）。
- 基区 (Base Region)：位于发射区和集电区之间，非常薄且轻掺杂，控制载流子传输。
- 集电区 (Collector Region)：面积较大，轻掺杂，收集从基区扩散过来的载流子。
结构成：三个区域形成两个PN结：
- 发射结 (Emitter-Base Junction, EB结)：位于发射区与基区之间。
- 集电结 (Collector-Base Junction, CB结)：位于基区与集电区之间。

工作原理：

放大模式 (Active Mode)：这是晶体管作为放大器工作的典型状态。
- 发射结正偏 (Forward-Biased)： EB结加正向电压，降低势垒，允许发射区的多数载流子（如NPN的电子）注入到基区。
- 集电结反偏 (Reverse-Biased)： CB结加反向电压，形成强电场。
- 载流子传输：注入基区的载流子（少数载流子）在基区扩散。由于基区很薄且轻掺杂，大部分载流子（约95%-99.5%）能扩散到达集电结边缘，被集电结的反偏强电场扫入集电区，形成集电极电流 $I_C$。少量载流子在基区与多数载流子复合，形成基极电流 $I_B$。
- 电流关系：集电极电流 $I_C$ 远大于基极电流 $IB$，两者关系由直流电流增益 $beta$ (或 $h{FE}$) 描述： $I_C = beta I_B$。发射极电流 $I_E$ 是 $I_B$ 和 $I_C$ 之和： $I_E = I_B + I_C$。
饱和模式 (Saturation Mode)： EB结和CB结均正偏。此时集电极电流 $I_C$ 不再随 $IB$ 显著增大，$V{CE}$ 很小（饱和压降 $V_{CE(sat)}$），晶体管相当于一个闭合的开关。
截止模式 (Cut-off Mode)： EB结和CB结均反偏。此时只有微小的反向漏电流（$I{CBO}$, $I{CEO}$）流过，集电极电流 $I_C$ 近似为零，晶体管相当于一个断开的开关。

关键特性参数：

主要应用领域：

与场效应晶体管 (FET) 的区别：三接面晶体管（BJT）是电流控制型器件（基极电流 $I_B$ 控制集电极电流 $IC$），输入阻抗较低。而场效应晶体管（FET）是电压控制型器件（栅极电压 $V{GS}$ 控制漏极电流 $I_D$），输入阻抗极高。两者在特性、应用场景上各有优势。

关于“三接面晶体管”这一术语，目前没有权威资料明确记载其定义。根据常规半导体器件知识分析，可能存在以下两种理解方向：

可能的术语混淆
- 常规晶体管（如双极型晶体管BJT）仅包含两个PN结（如NPN型为“P-N”和“N-P”结），而晶闸管（SCR）等四层器件则包含三个PN结（PNPN结构）。若指此类器件，更准确的名称应为“晶闸管”或“可控硅”。
- 若涉及异质结晶体管（如HBT），其结构可能包含不同半导体材料的接面，但通常仍以功能端（三端）而非接面数量命名。
特殊结构推测
- 假设存在三个PN结的晶体管结构，可能用于特定高频或高压场景，但此类设计在主流半导体领域极为罕见，实际应用中易因结构复杂导致效率降低。

建议：请确认术语准确性或补充上下文。若需了解常规晶体管原理，可参考：