熔絲連接可編程式隻讀存儲器英文解釋翻譯、熔絲連接可編程式隻讀存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 fusible link PROM

分詞翻譯：

熔絲的英語翻譯：

【化】 fuse; fuse wire

連接的英語翻譯：

connect; join; joint; juncture; link
【計】 bussing; catenation; connection; interfacing; join; linkage; linking
【化】 connection
【醫】 connection; couple; coupling; union
【經】 link

可編程式隻讀存儲器的英語翻譯：

【計】 programmable read only memory; PROM; PROM simulator

專業解析

熔絲連接可編程式隻讀存儲器（Fusible Link Programmable Read-Only Memory，簡稱PROM）是一種非易失性半導體存儲器，其核心特征是通過物理熔絲的熔斷狀态實現數據編程。該技術廣泛應用于電子設備固件存儲領域，其原理與實現可從以下三方面解析：

物理結構機制
每個存儲單元由晶體管與鎳鉻合金熔絲串聯構成，初始狀态下所有熔絲保持導通，對應存儲數據為全"1"狀态。編程時通過施加高壓脈沖（通常12-21V）選擇特定單元，使熔絲因焦耳熱熔斷形成開路，将數據改寫為"0"。這種物理重構特性決定了其一次性編程（OTP）本質。
編程控制邏輯
地址解碼器接收外部輸入信號後，激活對應的字線和位線驅動電路。熔絲通斷狀态通過鎖存電路保持，讀取時由靈敏放大器檢測單元阻抗差異。典型編程時間約50微秒/位，存儲密度隨工藝進步已發展至兆位級。
工程應用特性
• 航空航天設備：利用抗輻射特性存儲飛行控制程式（參考NASA JPL技術報告JPL-D-34423）

• 工業控制器：在汽車ECU、PLC等場景實現量産固件燒錄

• 密鑰存儲：物理不可逆特性保障加密芯片安全

該技術已逐步被Flash存儲器取代，但在高可靠性、抗輻射等特殊領域仍具應用價值。美國國家儀器(NI)白皮書《Legacy Memory Technologies》指出，現代軍工設備中約15%仍采用熔絲PROM作為災備存儲介質。

網絡擴展解釋

熔絲連接可編程式隻讀存儲器（Fuse-Connected Programmable Read-Only Memory，簡稱PROM）是一種基于熔絲技術的一次性可編程存儲設備。以下是其核心要點解析：

1.基本定義

PROM屬于隻讀存儲器（ROM）的一種，允許用戶通過物理熔絲結構進行一次性編程。其數據一旦寫入後不可修改。

2.工作原理

熔絲結構：出廠時所有存儲單元通過微小的熔絲連接，初始狀态為全1或全0（常見為全1）。
編程過程：用戶使用編程器施加高電壓/電流，熔斷特定單元的熔絲，将對應位的狀态從1變為0（或反向），實現數據固化。
數據讀取：熔斷的單元因電阻變化被識别為0，未熔斷的則為1。

3.技術特點

一次性寫入：熔絲熔斷後無法恢複，僅支持單次編程。
非易失性：斷電後數據永久保存。
成本低：適用于小批量定制場景，無需掩模生産。

4.典型應用

早期計算機固件存儲（如BIOS、BASIC解釋器）。
硬件配置數據固化（如電子設備校準參數）。

5.局限性

容錯性差：編程錯誤無法修正，需更換芯片。
存儲密度低：相比現代閃存技術，容量和靈活性不足。

以上信息綜合了多個權威來源，如需更詳細的技術參數或曆史背景，可參考維庫電子通（）和21ic電子網。