熔丝连接可编程序只读存储器英文解释翻译、熔丝连接可编程序只读存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 fusible link PROM

分词翻译：

熔丝的英语翻译：

【化】 fuse; fuse wire

连接的英语翻译：

connect; join; joint; juncture; link
【计】 bussing; catenation; connection; interfacing; join; linkage; linking
【化】 connection
【医】 connection; couple; coupling; union
【经】 link

可编程序只读存储器的英语翻译：

【计】 programmable read only memory; PROM; PROM simulator

专业解析

熔丝连接可编程序只读存储器（Fusible Link Programmable Read-Only Memory，简称PROM）是一种非易失性半导体存储器，其核心特征是通过物理熔丝的熔断状态实现数据编程。该技术广泛应用于电子设备固件存储领域，其原理与实现可从以下三方面解析：

物理结构机制
每个存储单元由晶体管与镍铬合金熔丝串联构成，初始状态下所有熔丝保持导通，对应存储数据为全"1"状态。编程时通过施加高压脉冲（通常12-21V）选择特定单元，使熔丝因焦耳热熔断形成开路，将数据改写为"0"。这种物理重构特性决定了其一次性编程（OTP）本质。
编程控制逻辑
地址解码器接收外部输入信号后，激活对应的字线和位线驱动电路。熔丝通断状态通过锁存电路保持，读取时由灵敏放大器检测单元阻抗差异。典型编程时间约50微秒/位，存储密度随工艺进步已发展至兆位级。
工程应用特性
• 航空航天设备：利用抗辐射特性存储飞行控制程序（参考NASA JPL技术报告JPL-D-34423）

• 工业控制器：在汽车ECU、PLC等场景实现量产固件烧录

• 密钥存储：物理不可逆特性保障加密芯片安全

该技术已逐步被Flash存储器取代，但在高可靠性、抗辐射等特殊领域仍具应用价值。美国国家仪器(NI)白皮书《Legacy Memory Technologies》指出，现代军工设备中约15%仍采用熔丝PROM作为灾备存储介质。

网络扩展解释

熔丝连接可编程序只读存储器（Fuse-Connected Programmable Read-Only Memory，简称PROM）是一种基于熔丝技术的一次性可编程存储设备。以下是其核心要点解析：

1.基本定义

PROM属于只读存储器（ROM）的一种，允许用户通过物理熔丝结构进行一次性编程。其数据一旦写入后不可修改。

2.工作原理

熔丝结构：出厂时所有存储单元通过微小的熔丝连接，初始状态为全1或全0（常见为全1）。
编程过程：用户使用编程器施加高电压/电流，熔断特定单元的熔丝，将对应位的状态从1变为0（或反向），实现数据固化。
数据读取：熔断的单元因电阻变化被识别为0，未熔断的则为1。

3.技术特点

一次性写入：熔丝熔断后无法恢复，仅支持单次编程。
非易失性：断电后数据永久保存。
成本低：适用于小批量定制场景，无需掩模生产。

4.典型应用

早期计算机固件存储（如BIOS、BASIC解释器）。
硬件配置数据固化（如电子设备校准参数）。

5.局限性

容错性差：编程错误无法修正，需更换芯片。
存储密度低：相比现代闪存技术，容量和灵活性不足。

以上信息综合了多个权威来源，如需更详细的技术参数或历史背景，可参考维库电子通（）和21ic电子网。