去屏蔽效應英文解釋翻譯、去屏蔽效應的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 deshielding effect

be apart from; betake; get rid of; go; leave; remove; repair
【醫】 de-; des-

【計】 masking effect
【化】 screening effect; shielding effect

在電子工程與材料科學領域，"去屏蔽效應"（Deshielding Effect）指外部電場、磁場或化學環境的變化導緻原子核或電子周圍原本存在的屏蔽作用減弱的現象。該效應會直接影響核磁共振（NMR）或電子順磁共振（EPR）譜圖中的信號位置，是分析物質微觀結構的關鍵參數。以下是具體解析：

屏蔽與去屏蔽的對比
- 屏蔽效應（Shielding Effect）：原子核周圍的電子雲或化學鍵會削弱外部磁場的作用，使原子核實際感受到的磁場強度（$B_{text{實際}}$）小于外加磁場（$B0$），即 $B{text{實際}} = B_0 (1 - sigma)$，其中 $sigma$ 為屏蔽常數。
- 去屏蔽效應：當化學環境（如鄰近原子的電負性、共轭體系或磁場擾動）降低電子雲密度時，$sigma$ 減小，導緻 $B_{text{實際}}$ 增大，共振信號向高頻（低場）方向移動。
量子力學解釋
根據拉莫爾公式，共振頻率 $ u = frac{gamma B_0}{2pi} (1 - sigma)$。去屏蔽狀态下 $sigma$ 減小，$ u$ 增大，表現為 NMR 譜圖中化學位移（$delta$）值增加（單位：ppm）。

NMR 譜學分析
- 在$$H NMR 中，羰基（-COOH）鄰近的質子因氧原子高電負性産生去屏蔽，化學位移達 $delta$ 10–12 ppm；烯烴質子（如乙烯）因 $pi$ 電子環流去屏蔽，位移為 $delta$ 4.5–6.5 ppm。
- 在$^{13}$C NMR 中，碳原子在缺電子環境（如碳正離子）中顯著去屏蔽。
材料表征
半導體材料中摻雜原子引起的局域電場變化可導緻能帶結構去屏蔽，影響載流子遷移率。

中文術語	英文術語	定義描述
去屏蔽效應	Deshielding Effect	外部因素減弱電子雲對原子核的屏蔽作用，導緻共振頻率升高的現象。
化學位移	Chemical Shift	因屏蔽/去屏蔽效應引起的核磁共振信號位置變化，反映原子化學環境。
屏蔽常數	Shielding Constant (σ)	量化電子雲對外磁場的削弱程度的無量綱參數。

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去屏蔽效應是核磁共振（NMR）和原子物理中的重要概念，指核外電子或其他因素導緻原子核實際感受到的外加磁場強度增強的現象。以下是詳細解釋：

在NMR中，去屏蔽效應表現為化學位移向低場（高頻）方向移動。例如，醛基質子因電子雲密度低，共振峰出現在低場（δ≈9-10）。

有效核電荷與屏蔽常數的關系為： $$ Z^ = Z - sigma $$ 其中，$Z^$為有效核電荷，$Z$為實際核電荷，$sigma$為屏蔽常數。去屏蔽效應對應$sigma$減小，$Z^*$增大。

去屏蔽效應反映了核外環境對磁場響應的動态調整，是分析分子結構（如官能團識别）和材料性質的重要依據。其具體表現需結合電子分布、化學鍵類型及外部磁場條件綜合判斷。