缺陷的類化學平衡英文解釋翻譯、缺陷的類化學平衡的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 quasi-chemical equilibrium of defect

分詞翻譯：

缺的英語翻譯：

be short of; imperfect; lack; minus
【醫】 a-

陷的英語翻譯：

defect; fall; get stuck; pitfall; sink; trap; frame; deficiency

類的英語翻譯：

be similar to; genus; kind; species
【醫】 group; para-; race

化學平衡的英語翻譯：

【化】 chemical equilibrium

專業解析

從漢英詞典與材料科學交叉視角看，“缺陷的類化學平衡”（defect quasi-equilibrium）指晶體材料中缺陷（如空位、間隙原子）的濃度在特定條件下達到一種近似熱力學平衡的狀态，其動态行為類似于化學反應平衡。以下是具體解析：

一、術語核心含義

“缺陷”
指晶體結構中偏離理想周期性排列的瑕疵，包括：
- 點缺陷：空位（vacancy）、間隙原子（interstitial atom）、置換原子（substitutional atom）等。
- 擴展缺陷：位錯（dislocation）、晶界（grain boundary）等。
  來源：中國科技術語審定委員會《材料科學名詞》 。
“類化學平衡”
描述缺陷的生成與湮滅速率達到動态平衡，類比化學反應中正逆反應速率相等的狀态。例如：

$$ text{空位生成} rightleftharpoons text{空位湮滅} $$

此時缺陷濃度趨于穩定，但需滿足非嚴格熱力學平衡條件（如恒溫、無外力場）。

來源：經典教材《Introduction to Materials Science》 。

二、科學機制與實例

平衡條件：高溫退火時，晶體空位濃度（$C_v$）服從Arrhenius方程：
$$ C_v = C_0 expleft(-frac{E_f}{k_B T}right) $$

其中 $E_f$ 為空位形成能，$k_B$ 為玻爾茲曼常數，$T$ 為溫度。此時系統處于“缺陷平衡态”。

來源：期刊《Physical Review B》相關研究 。
非平衡特性：
快速冷卻（淬火）會“凍結”高溫下的高缺陷濃度，打破平衡，形成亞穩态（metastable state），體現“類平衡”的動力學特征。

來源：材料科學手冊《ASM Handbook》 。

三、應用場景

半導體摻雜：控制矽晶體中磷原子的缺陷平衡濃度，優化電導率。
合金強化：通過空位-溶質原子複合體（如Al-Cu合金中的GP區）提升強度。
核材料輻照損傷：輻照産生的缺陷通過退火恢複準平衡态。
綜合來源：多篇材料工程研究綜述 。

權威參考文獻

: 中國科技術語審定委員會. 《材料科學名詞》. 科學出版社. 術語線上

: Callister, W. D. Materials Science and Engineering: An Introduction. Wiley.

: Van Vliet, K. J. Defect Interactions in Crystals. Phys. Rev. B 85, 245418 (2012).

: ASM International. ASM Handbook, Volume 4: Heat Treating.

: Was, G. S. Fundamentals of Radiation Materials Science. Springer.

網絡擴展解釋

缺陷的類化學平衡是固體化學中用于描述晶體中點缺陷（如空位、間隙原子、電子或空穴等）生成與湮滅過程的熱力學平衡理論。其核心思想是将缺陷視為類似原子、離子或分子的“化學組元”，并通過類化學反應方程描述其動态平衡關系。

主要概念解析：

定義與類比
晶體中的點缺陷（如電子、空穴、雜質離子等）被抽象為化學反應的參與者，其生成和湮滅過程可類比為弱電解質電離或溶液中的化學反應。例如：
- 本征半導體受熱激發産生電子和空穴，類似于純水的電離：
  $$ text{純水電離} leftrightarrow text{H}^+ + text{OH}^- $$
  $$ text{本征半導體} leftrightarrow text{e}^- (text{電子}) + text{h}^bullet (text{空穴}) $$
- 雜質半導體的電離則類似弱酸/弱堿的解離（如施主雜質釋放電子，受主雜質捕獲電子）。
理論基礎
基于熱力學假設：
- 晶體被視為溶劑，點缺陷為溶質，低濃度時可近似為稀溶液體系。
- 缺陷的生成遵循自由能最小化原則，自由能變化（ΔG）包含焓變（ΔH）和熵變（ΔS）的貢獻：
  $$ Delta G = Delta H - TDelta S $$
  當ΔG < 0時，缺陷生成自發進行。
實際應用
- 非整比化合物：如ZnS摻入Cu⁺時，缺陷平衡影響發光性能，需通過氣氛（如HCl）調控缺陷濃度。
- 缺陷濃度測定：通過微重量法、電導率測量等手段分析缺陷生成焓、熵及電離度。

特點

動态平衡：缺陷濃度受溫度、壓力、雜質等因素影響，類似化學平衡的移動。
數學描述：采用質量作用定律，建立類化學反應平衡常數（如電子濃度與空穴濃度的乘積為常數）。

此理論為半導體材料設計、功能陶瓷開發等提供了重要的熱力學分析框架。