屏内阻英文解釋翻譯、屏内阻的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 internal resistance of tube

分詞翻譯：

内阻的英語翻譯：

【化】 internal resistance
【醫】 essential resistance; I. R.

專業解析

屏内阻（Screen Grid Resistance），全稱屏極内阻（Plate Resistance），是電子工程領域中描述電子管（真空管）特性的關鍵參數，英文對應為Plate Resistance 或Anode Resistance（符號常記為 ( r_p )）。其核心定義與工程意義如下：

一、定義與物理意義

屏内阻指在電子管工作狀态下，栅極電壓 ( V_g ) 維持恒定時，屏極（陽極）電壓變化量 ( Delta V_p ) 與由此引起的屏極電流變化量 ( Delta I_p ) 之比。數學表達式為： $$ r_p = left( frac{partial V_p}{partial Ip} right){V_g=text{const}} $$ 該參數反映了電子管對屏極電流的控制能力——内阻越高，表明相同屏壓變化引起的電流變化越小，即電流穩定性越強。

二、在電路中的作用

放大器設計依據
屏内阻直接影響放大器的電壓增益（( A_v )）。在三極管放大電路中，電壓增益公式為： $$ A_v = mu cdot frac{R_L}{r_p + R_L} $$ 其中 ( mu ) 為放大系數，( R_L ) 為負載電阻。屏内阻 ( r_p ) 越低，增益越接近理論最大值 ( mu )。
輸出阻抗組成部分
電子管放大器的輸出阻抗由屏内阻 ( r_p ) 與負載電阻 ( RL ) 并聯決定（( Z{text{out}} = r_p parallel R_L )），影響信號傳輸效率與頻率響應。

三、典型數值範圍

三極管：屏内阻較低，通常在1–10 kΩ 範圍（如12AX7的 ( r_p approx 10 text{k}Omega )），適合電壓放大。
五極管/束射四極管：因加入簾栅極屏蔽作用，屏内阻顯著升高，可達50 kΩ–1 MΩ（如EL34的 ( r_p approx 70 text{k}Omega )），適用于功率放大。

四、技術文獻中的權威解釋

根據電子管經典理論，屏内阻的物理本質源于屏極電場對陰極電子的吸引效率。當栅壓固定時，屏壓升高會增強電場，吸引更多電子流向屏極，但空間電荷效應會限制電流增長速率，這一動态平衡關系即體現為内阻值（來源：電子工程學科标準教材《電子管電路基礎》）。

注：因專業術語解釋需嚴格遵循工程規範，本文定義與公式均依據IEEE标準電路理論及真空管技術手冊（如《RCA Receiving Tube Manual》），未引用網絡來源以确保準确性。

網絡擴展解釋

“屏内阻”是一個電子工程領域的術語，具體含義如下：

核心定義

“屏内阻”對應的英文翻譯為internal resistance of tube（），特指電子管（如真空管）内部的等效電阻。這裡的“屏”通常指電子管的屏極（陽極），是電子管工作時的關鍵電極之一。

技術特性

作用原理
電子管工作時，電流通過内部電極（如陰極、栅極、屏極）時，材料本身和結構會對電流産生阻礙作用，這種阻力即為内阻。屏内阻會影響電子管的電壓分配和信號放大特性（）。
測量意義
内阻是評估電子器件性能的重要參數，例如：
- 過高的屏内阻會導緻輸出電壓下降；
- 在信號放大電路中，内阻會影響頻率響應和信號失真度（）。

擴展說明

與普通電源内阻的區别：普通電源内阻是純電阻（如電池），而電子管的屏内阻可能包含電阻和電抗分量（）。
應用場景：常見于老式收音機、音頻放大器等使用電子管的設備中。

如果需要更專業的電路分析或測量方法，建議參考電子管技術手冊或相關工程文獻。