漂移脈沖英文解釋翻譯、漂移脈沖的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 shift pulse

分詞翻譯：

漂移的英語翻譯：

【醫】 drifting

脈沖的英語翻譯：

impulse; pulse
【計】 pulse
【化】 pulse
【醫】 pulse

專業解析

在電子工程與物理學領域，"漂移脈沖"（Drift Pulse）指載流子（電子或空穴）在電場作用下定向移動形成的瞬态電流信號。其核心概念可拆解為：

一、術語定義與物理機制

1. 漂移（Drift）

   指半導體或導體中載流子受外加電場驅動産生的定向運動，遵循歐姆定律。漂移速度 ( v_d ) 與電場強度 ( E ) 的關系為：

   $$

   v_d = mu E

   $$

   其中 (mu) 為載流子遷移率（參見 Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices）。

2. 脈沖（Pulse）

   表征短暫突變的電信號，具有快速上升/下降沿及有限持續時間，數學描述常采用矩形函數或高斯函數（參見 Oppenheim, A. V. Signals and Systems）。

二、漂移脈沖的典型應用

• 粒子探測器（如矽漂移探測器）

  電離粒子産生的載流子在電場中漂移形成電流脈沖，其幅值與粒子能量正相關（參見 Kemmer, J. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research）。

• 高速電子器件

  場效應晶體管（FET）溝道載流子的瞬态漂移響應，影響開關速度與高頻特性（參見 Pierret, R. F. Semiconductor Device Fundamentals）。

三、權威文獻參考

1. Sze, S. M. (1981). Physics of Semiconductor Devices (2nd ed.). Wiley.

   （載流子輸運理論經典著作）

2. Kemmer, J. (1980). Fabrication of Low Noise Silicon Radiation Detectors. Nuclear Instruments and Methods, 169(1), 499–502.

   （漂移脈沖在探測器中的實驗分析）

3. Pierret, R. F. (1996). Semiconductor Device Fundamentals. Addison-Wesley.

   （器件物理與瞬态響應模型）

以上解析綜合半導體物理、信號處理及器件工程的核心理論，定義與應用場景均基于電子工程學科共識。

網絡擴展解釋

以下是對“漂移”和“脈沖”的詳細解釋，綜合多個來源信息整理：

一、漂移

1. 物理現象
   指物體在液體表面或空中漂浮移動的現象。例如冰山融化時冰層隨水流移動。該詞也用于描述地質學中的大陸闆塊移動。

2. 電子學概念
   表示電子器件因溫度、電壓等環境變化導緻的信號不穩定現象，如“頻率漂移”“零點漂移”。

3. 駕駛技術
   一種車輛過彎技巧，通過控制車輛側滑實現轉向，常見于賽車運動（如甩尾）。

二、脈沖

1. 基本定義
   指短暫突變的電信號（電壓或電流），具有波形、幅度、寬度等特征，常見于數字信號傳輸。

2. 應用領域

   • 醫學：脈沖治療通過電刺激改善血液循環和組織代謝。
   • 電子技術：高頻脈沖用于無線電通信。
   • 其他類型：如神經脈沖、電磁脈沖等。

3. 類比解釋
   類似脈搏的跳動，呈現周期性或規律性的短暫沖擊。

補充說明

• 漂移與脈沖的差異：漂移多描述持續或漸變的移動/不穩定狀态，而脈沖強調瞬時突變信號。
• 如需更完整信息，來源中的高權威性内容（如、3）。

分類

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