不變性隨機存取内存英文解釋翻譯、不變性隨機存取内存的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 nonvolatile random-access memory

fixedness; immovability; invariability; steadiness

RAM
【電】 random access memory

不變性隨機存取内存（Non-Volatile Random Access Memory，NVRAM）是計算機存儲技術中的核心概念，指一種既能實現隨機存取、又能保持數據持久性的存儲介質。其核心特征體現在兩方面：

當前技術演進中，相變存儲器（PCM）和阻變存儲器（ReRAM）等新型NVRAM已實現微秒級讀寫延遲，較傳統NAND閃存提速三個數量級。英特爾Optane持久内存等商用産品驗證了該技術在内存數據庫加速領域的實用價值。

國際半導體技術路線圖（ITRS）指出，NVRAM的存儲密度正以每年15%的速率提升，預計2030年單芯片容量可達1Tb。這種技術突破正在重構馮·諾依曼架構中内存與存儲的層級劃分。

“不變性隨機存取内存”應指非易失性隨機存取存儲器（Non-Volatile Random Access Memory, NVRAM），其核心特性是斷電後數據不丢失。以下是綜合解釋：

定義與特性
NVRAM是一種既能像傳統RAM一樣隨機讀寫數據，又具備類似ROM的非易失性存儲能力的存儲器。傳統RAM（如DRAM、SRAM）依賴電容器存儲電荷，斷電後數據消失，而NVRAM通過特殊技術（如磁性存儲、相變材料等）實現數據持久化。
技術原理
以磁性隨機存取存儲器（MRAM）為例，其利用磁性方向存儲0和1，類似于硬盤原理，無需持續電流即可保持數據。這與傳統RAM依賴電容刷新（如DRAM需定期充電）形成鮮明對比。
與傳統RAM的區别
- 易失性：傳統RAM斷電後數據丢失（如、5所述），NVRAM則永久保存。
- 速度與用途：NVRAM讀寫速度接近傳統RAM，適合需要快速訪問且持久存儲的場景（如嵌入式系統緩存），而傳統RAM主要用于程式運行時臨時數據存儲。
應用場景
NVRAM常用于替代FLASH存儲器，或用于工業設備、航天器等對數據可靠性要求高的領域。

用戶提到的“不變性”實為“非易失性”，指數據持久保存的特性。相關技術仍在發展中，目前主流NVRAM類型包括MRAM、FRAM等。