雙載子移動率英文解釋翻譯、雙載子移動率的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 ambipolar mobility

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【醫】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

【電】 carrier mobility

在電子工程領域，"雙載子移動率"（英文：Bipolar Carrier Mobility）指半導體材料中電子（負電荷載流子）和空穴（正電荷載流子）在電場作用下遷移速率的統稱。它是衡量雙極性器件（如雙極結型晶體管，BJT）性能的關鍵參數，直接影響器件的開關速度、電流增益和頻率響應。

載流子類型
- 電子（Electrons）：帶負電，在導帶中運動。
- 空穴（Holes）：帶正電，在價帶中運動，本質是電子移動後留下的空缺。
  在雙極性器件中，電流由電子和空穴共同形成，其遷移能力共同決定器件效率。
移動率定義
移動率（μ）表示載流子在單位電場強度（V/m）下的平均漂移速度（m/s），公式為：

$$ mu = frac{v_d}{E} $$

其中 ( v_d ) 為漂移速度，( E ) 為電場強度。電子遷移率（μₙ）和空穴遷移率（μₚ）通常不同，矽材料中 μₙ > μₚ（約2–3倍）。
影響因素
- 材料特性：矽（Si）中電子遷移率約1500 cm²/(V·s)，空穴約450 cm²/(V·s)；砷化镓（GaAs）電子遷移率可達8500 cm²/(V·s)。
- 摻雜濃度：高摻雜導緻離子散射增強，遷移率下降。
- 溫度：溫度升高加劇晶格振動，遷移率降低。

高雙載子移動率可提升BJT的截止頻率（fₜ）和開關速度。例如，在射頻放大器中，高遷移率材料（如GaAs）能實現更高的工作頻率。此外，遷移率差異導緻器件設計時需平衡電子與空穴的傳輸效率，以優化電流放大系數（β）。

雙載子移動率（Ambipolar Mobility）是半導體物理學中的重要概念，其核心含義如下：

定義與物理意義
- 指在半導體材料中，同時存在的兩種載流子（電子和空穴）在外加電場作用下的平均遷移率。
- 區别于單載流子遷移率（如僅電子的carrier mobility），它綜合反映了電子與空穴共同參與導電時的整體遷移能力。
數學表達式雙載子遷移率（$mu{amb}$）可通過以下公式計算： $$ mu{amb} = frac{mu_e mu_h (n + p)}{mu_e n + mu_h p} $$ 其中$mu_e$為電子遷移率，$mu_h$為空穴遷移率，$n$和$p$分别為電子與空穴濃度。
應用領域
- 在光電器件（如太陽能電池、LED）中，雙載子遷移率直接影響載流子複合效率。
- 對雙極型晶體管、半導體激光器等器件的性能優化有指導意義。

需要說明的是，該參數在低維材料（如量子阱）和新型半導體（如鈣钛礦）研究中尤為重要。更多專業定義可參考電動力學教材或半導體器件物理文獻。