双载子移动率英文解释翻译、双载子移动率的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 ambipolar mobility

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【医】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

【电】 carrier mobility

在电子工程领域，"双载子移动率"（英文：Bipolar Carrier Mobility）指半导体材料中电子（负电荷载流子）和空穴（正电荷载流子）在电场作用下迁移速率的统称。它是衡量双极性器件（如双极结型晶体管，BJT）性能的关键参数，直接影响器件的开关速度、电流增益和频率响应。

载流子类型
- 电子（Electrons）：带负电，在导带中运动。
- 空穴（Holes）：带正电，在价带中运动，本质是电子移动后留下的空缺。
  在双极性器件中，电流由电子和空穴共同形成，其迁移能力共同决定器件效率。
移动率定义
移动率（μ）表示载流子在单位电场强度（V/m）下的平均漂移速度（m/s），公式为：

$$ mu = frac{v_d}{E} $$

其中 ( v_d ) 为漂移速度，( E ) 为电场强度。电子迁移率（μₙ）和空穴迁移率（μₚ）通常不同，硅材料中 μₙ > μₚ（约2–3倍）。
影响因素
- 材料特性：硅（Si）中电子迁移率约1500 cm²/(V·s)，空穴约450 cm²/(V·s)；砷化镓（GaAs）电子迁移率可达8500 cm²/(V·s)。
- 掺杂浓度：高掺杂导致离子散射增强，迁移率下降。
- 温度：温度升高加剧晶格振动，迁移率降低。

高双载子移动率可提升BJT的截止频率（fₜ）和开关速度。例如，在射频放大器中，高迁移率材料（如GaAs）能实现更高的工作频率。此外，迁移率差异导致器件设计时需平衡电子与空穴的传输效率，以优化电流放大系数（β）。

双载子移动率（Ambipolar Mobility）是半导体物理学中的重要概念，其核心含义如下：

定义与物理意义
- 指在半导体材料中，同时存在的两种载流子（电子和空穴）在外加电场作用下的平均迁移率。
- 区别于单载流子迁移率（如仅电子的carrier mobility），它综合反映了电子与空穴共同参与导电时的整体迁移能力。
数学表达式双载子迁移率（$mu{amb}$）可通过以下公式计算： $$ mu{amb} = frac{mu_e mu_h (n + p)}{mu_e n + mu_h p} $$ 其中$mu_e$为电子迁移率，$mu_h$为空穴迁移率，$n$和$p$分别为电子与空穴浓度。
应用领域
- 在光电器件（如太阳能电池、LED）中，双载子迁移率直接影响载流子复合效率。
- 对双极型晶体管、半导体激光器等器件的性能优化有指导意义。

需要说明的是，该参数在低维材料（如量子阱）和新型半导体（如钙钛矿）研究中尤为重要。更多专业定义可参考电动力学教材或半导体器件物理文献。